半导体

钰创董事长卢超群出席力积电铜锣12吋厂启用仪式时对《SEMICONVoice》表示，AI广泛使用的高频宽记忆体HBM要堆叠8层、16层，售价高达300美元～600美元，这在 半导体产业根本是天价，而且还一堆客户都抢着要买。
 



卢超群进一步分析，现在HBM记忆体还在技术与良率的摸索期，良率瓶颈要完全打开至少要花上2～3年时间，因此HBM对传统DRAM产能的排挤才刚开始而已。
 



重点是，现在三大DRAM厂都在抢着争夺HBM巨大商机，每一家记忆体厂都想当HBM老大，根本没有力气去对付传统DRAM，更是倾公司所有资源和最优秀的工程师都去做 HBM，预期下半年利基型DRAM产业会供给量不足，价格一定会水涨船高。
 



DRAM业界人士更对《SEMICONVoice》透露，投产HBM记忆体不单有耗损wafer面积的问题，且HBM投产制程周期是DDR5的三倍之多，良率又还没拉上来，现在HBM商机大爆发，但 DRAM厂的生产和产能准备没跟上脚步。
 



尤其，过去两年记忆体厂财报出现巨额亏损，因此都没有积极扩增新产能，只是把原本减产的部分逐渐恢复正常生产，但这对于未来AI时代所需要用到的DRAM和NAND Flash产能根本 不够，现在又有HBM技术瓶颈，未来DRAM产能会十分紧俏。
 



或许你觉得现在终端需求还不好，但半导体产业链已经渡过漫长的库存消化，等到PC、手机、伺服器的需求都恢复正常后，客户和通路商开始会回补库存，DRAM吃紧的问题 会更加严重。
 



市调机构TrendForce也发布报告指出，在403地震前，原先预估第二季DRAM合约价会上涨约3～8%，而最新统计出来的数据是上修涨幅大涨至13～18%。
 



针对HBM排挤DRAM产能的程度，三星的HBM3e产品是采用1alpha制程节点，预计到2024年底将占用1alpha制程产能约60%，会排挤到DDR5供给量。 尤其，第三季HBM3e进入生产放量的时间点，买方已经同意提前到第二季备货，以防第三季HBM供应会出现短缺。
 



TrendForce也统计，HBM位元需求可望高度成长，2024年将成长近200%，2025年再进一步倍增。 2024年HBM产值占DRAM比重将超过20%，2025年将有机会突破30%。
 



身为HBM龙头的SK海力士也指出，DRAM产业需求确实之前较为疲弱，但下半年需求逐渐复苏，加上HBM会吃掉更多的产能，随着越来越多DRAM产能挪移去生产HBM， 传统DRAM供应量势必会减少，且慢慢地，供应链现有的库存都会消化殆尽，看好DRAM后势价格走势。
 



SK海力士也宣布，2024年HBM产能全部售罄，2025年产能基本上也卖完，为了巩固SK海力士在HBM领域的领先地位，计画5月会推出12层堆叠的HBM3E样品，规划第 三季进入量产。
 



更早前，美光也宣布2024年HBM产能全部售罄，2025年产能多数产能也都被预订。 HBM全球狂热的程度，算是记忆体史上罕见！
 



SK海力士为了巩固HBM技术的领先地位，也宣布最新世代堆叠16层的HBM3E技术研发进度，目标是2026年进入量产。 据了解，相较12层的HBM，SK海力士的16层HBM以相同的高度堆叠更多DRAM晶粒（die），更关键的是能同步减少DRAM厚度，并防止出现晶圆翘曲（warpage ），SK海力士为克服这些技术难题，从HBM2E开始就采用领先的MR-MUF（Mass Reflow Molded Underfill）技术，并且不断进行改良。
 



在HBM大战中，长年龙头的三星居然成为SK海力士的手下败将，日前传出不服输的三星，精挑细选集结了100名顶尖的工程师，组成一支HBM团队，目的就是争取Nvidia的HBM 订单，让良率和品质能通过Nvidia的标准，进而一步步蚕食鲸吞SK海力士手上的订单。
 



三星目前的重心是在全球首款36GB 12层堆叠HBM3E，相较堆叠8层的HBM产品，堆叠12层的HBM3E可让AI学习速度提升34%。 三星总裁兼执行长庆桂显Kye Hyun Kyung指出：“第一回合输了，但第二回合是非赢不可。”

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三星DDR3将提前退役，HBM耗损Wafer面积是DDR5三倍，DRAM产业正处关键转折点

 

4月最后一天，晶圆代工厂世界先进、记忆体封测厂力成、消费性IC设计盛群集中在同一天举行法说。 幸好，这次三家半导体厂同步释出第二季手机、消费性电子触底后开始回暖的讯息，终于没有把法说会开成法会！
 





其中，世界先进释出的前景比市场预期的乐观很多，提出第二季出货强劲成长17~19%，产能利用率可比第一季53%提升10个百分点至65%左右，惟毛利率微 幅下滑至25～27%。 再者，世界先进第二季会有LTA长期合约的贡献。
 





值得注意的是，世界先进在法说会中释出扩充晶圆五厂4000片的讯息，这4000片的扩增产能其实被讨论很久了，但碍于市场需求不振，公司一直延后扩充脚步 。
 





世界先进晶圆五厂增加的产能主要是电源管理IC，来自于“从中国转出的订单”。 据了解，高通把电源管理晶片PMIC从中芯国际转单的动作加快，其他像是芯源系统MPS过去也高度依赖中国大陆的晶圆厂做代工如中芯国际、华虹等，受到过去几 年地缘政治影响，也都陆续转出订单，因此世界先进决定扩产支援。
 





同样也是地缘政治影响，中国大陆本土晶圆代工厂大力扩产成熟制程产能，价格战猛烈，在世界先进法说会中，分析师也关切是否会被这些过剩的成熟制程产能或是价格战影响？
 





世界先进明确表示，不会加入价格战，中国晶圆厂的杀价竞争反映的是过度扩产成熟制程后的产能过剩，以及整体经济需求疲弱，公司还是会聚焦在提供服务和有竞争力的技术 ，在需求疲软时，在价格上会与客户共体时艰，等到库存健康化后再恢复，但对于杀价接单是没有兴趣的。
 





另外，世界先进也提到，因为地缘政治风险，导致许多外商订单从中国的晶圆厂转出去，这些都是世界先进的机会，这样的趋势其实2023年就很明显，未来转单带动的效益 会更大，尤其是电源管理晶片PMIC。
 





另一点关注点是，2024年世界先进股东会中将改选9名董事，但母公司兼大股东台积电并未派任法人代表参选，先前台积电的法人代表方略和曾繁城，都改以自然人的身份 参选。 台积电表示，将行使投票权支持适当的董事候选人。
 





台积电目前持股比例达28.32％，为最大股东，其次则是国发基金16.72％。 台积电表示，因为与世界先进并非从属关系，为强化经营者责任与公司治理，因此不再派任法人代表董事进入世界先进的董事会，台积电也没有无出脱世界先进持股的计划。
 





世界先进第一季营收96.33亿元，出货量较上季减少4.1%，ASP持平，毛利率24.2%，晶圆出货量46.9万片。 第一季营收中，电源管理晶片65%、大尺寸LCD面板驱动晶片19%、小尺寸面板驱动晶片11%，其他5%。 展望第二季，预计晶圆出货量将增加17~19%，ASP较上季减少2～4%，毛利率25～27%。
 





世界先进表示，第二季的订单能见度转佳，景气触底后逐步回暖，消费性电子上半年库存可望回到正常健康水位，但工业和车用电子的库存调整要到第二、三季度 才会正常化，预计下半年景气状态是温和成长。
 





世界先进2024年整体产能微幅增加至338.7万片，资本支出为新台币38亿元，其中60%用于晶圆五厂的扩充，其他为例行性支出。
 





有关403地震对世界先进的影响，公司指出，80%厂区设备在一天内复原，其他多个厂区多在4天内恢复生产，而晶圆二厂则是在一周后恢复生产，评估对线上晶 圆产能报废导致的影响占第二季约1.5个百分点，2%晶圆延迟到第三季出货。
 





世界先进主要是8吋晶圆厂，多年来一直规划跨入12吋晶圆厂建置，只闻楼梯响，未真正定案，但只差临门一脚。
 





业界一直传出世界先进的12吋厂落脚新加坡，台积电也会给予必要的技术和建厂资源支持，有机会在年内动工。 不过，这次世界先进的法说会中并未如外界预期宣布这个好消息。
 





世界先进指出，要盖12吋厂考虑的面向非常多，包括技术、客户、财务等等，必须要有十足把握才能出手。 同时，公司也表示可以朝与客户JV方向走。 至于落脚新加坡，公司指出，台湾和新加坡都是非常适合投资半导体的地区，新加坡政府也相当积极拉拢有能力建12吋厂的厂商，但其他的不便多谈。

三星从2年前就规划逐步要退出DDR3供应，市场传出，原本计划2024年底要针对DDR3做EOL（end-of-life）现在提前至2024年中停止生产DDR3，而SK海力士在DDR3 晶片上的供应原本就不多，预计未来会更淡出DDR3供应之列。 业界预期，DDR3提前退役，可望加速DDR3库存消化，准备启动另一番涨势。
 



记忆体今年市况不错，主要是2023年上游原厂亏损严重，开始从源头控盘拉抬价格，这招式是千年不变，万年受用！ NAND Flash和DRAM产业也在这一轮的景气循环中，正大光明地走出谷底，等待终端需求大力添加柴火。
 



这一波DRAM产业有两个题材，一是AI需要的高频宽记忆体HBM对于DDR5的排挤效应，且HBM真的吃掉很多记忆体的Wafer产能; 第二是韩系国际记忆体大厂年底前 要陆续退出DDR3的生产之列。
 



两大韩厂三星、SK海力士要退出DDR3生产已经规划许久，日前传出最大供应商三星原本是计划年底前停止生产，基于产能配置，提前到2024年中停止生产DDR3，SK海力士原本的DDR3 供应数量就很少，逐步淡出符合预期规划，这对于台湾DRAM相关厂商是好消息。
 



HBM在AI时代成为要角，记忆体产业主轴是“排挤”。

首先，HBM是SK海力士的翻身之作，未来在技术、产能、资源分配上，无论是SK海力士、三星或美光，绝对是全力抢占HBM市占率，AI才是未来主角。 因此，这些大厂不可能会有太多产能给传统的DRAM，HBM对DDR5产能的排挤，恐怕刚开始而已。 除非，你觉得AI是泡沫，是昙花一现，你觉得ChatGPT很快会消失。
 



业界分析，HBM生产周期包含TSV封装，比DDR5的生产周期至少多出1.5个月，HBM3E的Wafer面积更是DDR5的三倍大。 假如投片16Gb DDR5颗粒，每片Wafer的Gross die是1800颗，同样的Wafer拿去生产HBM3E，搞不好只剩下600颗。
 



DRAM厂为了解决HBM瓶颈且拉升良率，只会有越来越多的DRAM产能转移到HBM身上。 有消息指出，HBM平均良率约在65%左右，但业界认为实际的良率其实更低。 而且，HBM一旦有一个晶片有缺陷，整个封装都不能用。 另外，HBM的生命周期又比传统DRAM短。
 



美光执行长Sanjay Mehrotra 曾表示，HBM因为包含了逻辑控制晶片，加上更复杂的封装堆叠，且生产HBM过程会很大幅度影响良率，因此生产HBM3和HBM3E会吃掉很大部分的DRAM Wafer 供应。
 



辉达Nvidia执行长黄仁勋也指出，HBM是技术奇迹，它的技术非常复杂，但能提高AI效能，附加价值非常高，他非常重视与SK 海力士、三星在HBM记忆体上的合作关系。
 



全球市场中，HBM市占率最高的是SK海力士，其次是三星，两者合计应该有占90%市场，美光排名第三。
 



目前，SK 海力士的 HBM3E已经量产，辉达Nvidia绝对是优先出货的重要客户。
 



三星的8层HBM3E在量产时程上微幅落后，外传，三星HBM3的良率只有10~20%，但SK海力士的HBM3良率却已来到60~70%。 幸好，三星最终仍是拿下辉达H200订单。 三星也强调自己将会推出业界首款12层HBM3E，是目前容量最高HBM产品，预计会很快量产。

台积电日前举行的北美技术论坛中，正式揭示六大创新技术问世。 其中，最大亮点应该是台积电在2奈米制程技术之后，最先宣布的TSMC A16技术问世。

手机晶片设计公司紫光展锐过去几年历经了十分频繁人事异动后，近一年来在半导体业界可谓是悄无声息。 展锐曾经是中国老牌的IC设计公司之一，备受注目的中国半导体“国家队”，紫光集团“准IPO”企业，更是中国自研手机处理器（除了华为海思）的第一把 交椅。
 



就在紫光展锐这样静悄悄好一阵子后，近日传出来的消息却是裁员，业界传出展锐针对射频PA团队进行人员精简。 事实上，中国射频晶片领域特别“卷”，洗牌赛与整合赛是必然的方向。
 



更早之前，有中国射频厂商指出，射频晶片已经进入无序竞争的地步，从射频开关、手机PA、Cat.1 PA、WiFi6FEM、滤波器等，整个产业过度内卷与竞争的结果，是“ 天天都有最低价”，未来情况会更严峻。
 



射频晶片曾经备受中国资本的青睐，这要追溯到3～4年前，全球疫情蔓延背景下的极度“缺芯”，以及中国晶片国产化的大时代背景下，中国射频晶片公司大量成立。 因为射频晶片门槛不算高，应用领域广泛，且产品周期短，射频各个细分领域都吸引大量资本进入，希望能从国际巨头占据的大份额市场中，取一瓢饮。
 



不过，疫情过后手机市场供应链库存一堆、没有换机的新吸引力，加上供给过剩加剧，中国射频晶片在高端市场无法挑战Skyworks、Qorvo、高通等国际巨头，在中低价市场互相竞争 的结果，导致中国射频晶片早已经走上洗牌战之路。
 



近年来，低调的展锐也积极布局非洲、印度、泰国等新兴市场。 展锐曾对外指出，在新兴市场积极与诺基亚、传音等跨国品牌合作，尤其在非洲，展锐更是携手当地运营商和合作伙伴，助力非洲迈向数字化经济时代。 此外在印度、泰国等新兴领域，同样也是展锐扩展市占率的重点。

 
英特尔宣布，美国俄勒冈州希尔斯伯勒的研发基地中，已完成业界首台ASML供应的商用高数值孔径极紫外光微影设备（High NA EUV）组装，型号为TWINSCAN EXE:5000。
 



该机台正在进行多项校准步骤，预计2027年启用，率先用于Intel 14A制程，协助英特尔推展未来制程蓝图。 此设备将投影印刷成像到晶圆的光学设计进行改造，明显提升下世代处理器的图像解析度和尺寸缩放。
 



英特尔计划于2025年Intel 18A的产品验证，以及未来Intel 14A的量产阶段，都会采用0.33和0.55数值孔径的EUV微影设备。
 



《高数值孔径极紫外光微影设备High NA EUV小科普》
 



高数值孔径极紫外光High NA EUV技术使用人工的13.5奈米光波长。 此一光波长是利用强大的雷射光束，照射加热至将近摄氏22万度的锡滴上而产生，此温度高出太阳表面平均温度40倍。 光束从含电路图案模板的光罩中反射，再穿过高精度镜组打造的先进光学系统。
 



NA（Numerical Aperture）数值孔径为衡量光收集和聚焦能力的重要指标，用在光学系统上，决定了光刻的实际图案解析度和缩小电晶体尺寸，以及能够做到的制程节点。 然而，要进一步制造尺寸更小的电晶体，仍需要全新的电晶体结构和相关制程步骤。
 



ASML目前的EUV曝光机NA只有0.33，对应的解析度为13nm，可以生产金属间距在38～33nm之间的晶片。 往下发展到金属间距缩小到30nm以下，也就是对应的制程节点在5nm以下，解析度就不够了。 或者是需要用多重曝光（pattern shaping）技术来辅助，会导致成本增加且影响良率。
 



ASML新一代的高数值孔径EUV设备EXE:5000可以做到0.55 NA，解析度缩小到8nm。 相较于0.33数值孔径的EUV微影设备，高数值孔径EUV微影设备（或0.55数值孔径的EUV微影设备）可为类似的晶片尺寸提供更高的成像对比度，可减少每次曝光所需 的进光量，并缩短每层列印时间，从而提高晶圆厂的产能。
 



采用第一台高数值孔径EUV的英特尔指出，当High NA EUV微影设备与英特尔晶圆代工服务的其他领先制程技术相结合时，列印尺寸预计将比现有EUV机台缩小1.7倍。 由于2D尺寸缩小，密度将提高2.9倍，英特尔将持续引领半导体产业发展更小、更密集的图案化（pattterning）技术，进一步延伸摩尔定律。
 



《台积电为什么不急着导入高数值孔径EUV？ 》
 



过去半导体进入EUV时代，全球也是三星第一个先使用EUV设备的Foundry厂，台积电第一代7nm制程仍是用多重曝光，第二代才改用EUV技术。
 



电晶体架构从FinFET（鳍式场效电晶体）转换到GAA（环绕闸极场效电晶体）架构，竞争对手三星、英特尔都在3nm制程抢着采用GAA电晶体，台积电直到2nm制程才会改采 GAA电晶体架构，预计2025年量产。



从EUV技术导入、采用GAA电晶体，一直到使用高数值孔径EUV技术等历程，可以看出台积电的作风偏向谨慎保守，不会冲第一个采用新技术。
 



台积电曾回应何时使用高数值孔径EUV设备时表示，技术本身的价值只有在为客户服务时，方能彰显出来。 每当新的工具或设备，台积电都会先研究，看看工具的成熟度和成本，再进一步评估如何去实现。







图说：ASML的TWINSCAN EXE:5000系统的总重量超过150吨，将先分装于250多个货箱中，并集中装入43个货柜，货柜由多架货机运送至西雅图，再利用20辆卡车 运输到俄勒冈州。 一台售价将近4亿美元！ ！ ！
 

AI成功拯救全世界！
 



台积电今日法说会中指出，手机复苏缓慢，PC产业虽落底但缓慢成长，传统伺服器需求不好，最惨的是汽车，供应链库存一堆，原本预期汽车需求能转佳，但却 事与愿违（难怪特斯拉这么惨），只有AI需求仍是非常非常强劲。
 



因此，台积电宣布双双下修全球半导体成长率和全球晶圆代工成长率，但自己今年的成长率不变。 显见台积电是AI需求强劲的最大受惠者，仍是一个人的武林！







台积电今日法说会释出的讯息是好坏参半！ 怎么说？ 好消息是谈到AI需求，总裁魏哲家用 “非常、非常强劲” 来形容AI需求的现况。
 



台积电强调AI相关产品的定义，是伺服器AI 处理器包括执行训练（training）和推论（inference）功能的GPU、AI加速器和CPU，并不包含网路、边缘或终端装置 AI。
 



魏哲家更指出，2024年伺服器AI的营收贡献将较2023年成长超过100%，占2024年总营收3～4％。 现在几乎全球所有AI公司都正在与台积电合作，预计未来五年，伺服器AI处理器将以 50%的年复合成长率前进，预计到2028年，AI将占台积电营收超过20%。
 



坏消息则是，除了AI之外，手机、PC、物联网、传统伺服器、汽车等表现都不出色。 PC产业落底正缓步回升、手机需求回升缓慢、传统伺服器不好，汽车更是不如预期，相较三个月前法说时，汽车产业状况更糟，完全没复苏，今年全年汽车 电子预计会是负成长。
 



台积电指出，2024 年因为总体经济和地缘政治的不确定性持续存在，加上还在消化库存，宣布调降2024年半导体市场(不含记忆体)的全年展望，原本预期全年半导体市场成长 超过10%，现在调降至约10%左右，晶圆代工市场原本预计成长约20%，现在调降至15~19%。
 



针对台积电本身，公司仍预期2024年营收是逐季成长，以美元算，全年营收成长幅度维持21~24%不变。 同时，台积电也指出2024年资本支出不变，维持280亿～320亿美元，约70～80%将用于先进制程技术，10～20%将用于特殊制程技术，其他的10%用于先进 封装、测试、光罩等。







针对制程技术和应用的展望，有以下几个更新：
 



N2制程：预期2奈米技术在最开始发展的头两年，产品设计定案（tape outs）数量将高于3奈米和5奈米，几乎都是AI相关客户。 台积电的2奈米将采用奈米片(Nanosheet)电晶体结构，在密度和能源效率上都会是业界最先进的半导体技术。
 



目前台积电的2奈米制程技术研发顺利，装置效能和良率皆按照计画甚或优于预期。 2奈米制程预计在2025年进入量产，其量产曲线预计与3nm制程相似。
 



N3制程：2024年营收贡献会是2023年的三倍以上。 也因为3nm制程需求非常强劲，会转换部分5nm制程的设备到3nm制程。
 

N4和N5制程：目前多数AI加速器都是在4奈米和5奈米制程，部分客户开始在合作下一个制程世代，主要是基于耗电因素。
 

N7制程：目前7奈米制程的产能利用率仍是偏低，但台积电看好7nm制程未来2～3年的需求可望再有一波拉升，重演之前28奈米制程上，从谷底再上演共 不应求的戏码。
 

CoWoS产能：2024年产能扩充超过两倍，但仍是无法满足AI客户需求。


全球生产据点的现况更新：
 



美国亚利桑那州厂：计画设立三座晶圆厂。 第一座晶圆厂已于4月进入采用4nm制程技术的工程晶圆生产(engineering wafer production)，按计画在2025年上半年开始量产。
 



第二座晶圆厂则是继升级为采用2nm制程技术，支援当前最为强劲的AI需求。 第二座晶圆厂目前已经完成上梁，预计2028年开始生产。
 



台积电也宣布亚利桑那州建造第三座晶圆厂的计画，预计会采用2奈米或更先进的制程技术。
 



此外，在宣布第三座厂兴建同时，台积电也宣布了三家大客户的支持与声援，分别为苹果、Nvidia、AMD。 看来是台积电美国厂的铁三角客户。
 



另一个与美国厂相关且值得关注的讯息是，艾克尔（Amkor）在2023年底宣布在美国亚利桑那州投资20亿美元建立美国最大先进封装测试厂，就近服务台积电和苹果（Apple）客户。 台积电在今日法说会回应，很高兴看到艾克尔要就近盖封测厂，一起合作支持客户。
 



日本熊本厂：第一座特殊制程技术晶圆厂已将采用12/16奈米和22/28奈米制程技术，2024年第四季进入量产。
 



日本第二座特殊制程技术晶圆厂预计将采用40奈米、12/16奈米和6/7奈米制程技术，以支持消费性、汽车、工业和HPC相关应用的策略性客户。 第二座厂计画于2024年下半年开始兴建，2027年底开始生产。
 



德国厂：预计在德国德勒斯登建立一座以汽车和工业应用为主的特殊制程晶圆厂，并计画于2024年第四季开始兴建。
 



台积电也再次强调，因为海外的生产成本增加，为了反映境外厂区的不同价值，都会反映在公司的定价策略上。 同样买一个汉堡＋薯条＋可乐套餐，价格在台湾、美国、日本、德国都不一样！ 这样也是合理啦！







针对403地震对营运的影响，台积电指出，地震是芮氏规模7.2，晶圆厂是5，一如当时说明，晶圆厂整体设备的复原率在地震发生后10小时内即复原超过70%， 并在地震发生后的第三日结束前完全复原，预计对第二季毛利率影响0.5个百分点，主要是因为晶圆报废和材料损耗相关的损失。
 



根据台积电公布的2024 年第一季财务报告，合并营收约新台币5926.4亿元，较上季减少5.3%，税后纯益约新台币2254.9亿元，每股盈余为8.7元(折合美国存托 凭证每单位为1.38 美元)，较前一季减少5.5%。
 



以美元计算，台积电2024 年第一季营收188.7亿元，较前一季减少了3.8%。 再者，台积电2024年首季毛利率为 53.1%，毛利率微幅上涨，营业利益率为 42.0%，税后纯益率则为 38.0%。
 



2024 年第一季，3奈米制程出货占整体营收9%、5奈米制程出货占37%，7奈米占19%。 总体而言，先进制程（包含7奈米及更先进制程）营收占比高达65%。
 



台积电提出2024年第二季营运展望，营收将介于196亿～204亿元，汇率假设基础美元兑新台币为32.3，等同预测第二季营收将季增6%左右，预计毛利率介 于51～53%，营业利益率介于40～42%。 4月地震估计影响毛利率约0.5个百分点，合计地震、通膨、电价对台积电第二季毛利率影响约0.7～0.8个百分点。
 



台积公布2024 年第一季财务报告，合并营收约新台币5926.4亿元，较上季减少5.3%，税后纯益约新台币2254.9亿元，每股盈余为8.7元(折合美国存托凭证 每单位为1.38 美元)，较前一季减少5.5%。
 



以美元计算，台积电2024 年第一季营收188.7亿元，较前一季减少了3.8%。 再者，台积电2024年首季毛利率为 53.1%，毛利率微幅上涨，营业利益率为 42.0%，税后纯益率则为 38.0%。
 



2024 年第一季，3奈米制程出货占整体营收9%、5奈米制程出货占37%，7奈米占19%。 总体而言，先进制程（包含7奈米及更先进制程）营收占比高达65%。
 



台积电提出2024年第二季营运展望，营收将介于196亿～204亿元，汇率假设基础美元兑新台币为32.3，等同预测第二季营收将季增6%左右，预计毛利率介 于51～53%，营业利益率介于40～42%。 4月地震估计影响毛利率约0.5个百分点，合计地震、通膨、电价对台积电第二季毛利率影响约0.7～0.8个百分点。

 

 

全球设备龙头ASML在2024年第一季营收中，净系统营收贡献高达49%，逼近整体一半，且更较2023年第四季占比39%上升。 显示，在美国禁令步步逼近下，ASML快马加鞭将设备出货给中国。
 





整体来看，ASML交出的第一财财报是低于预期的。 第一季36 亿欧元的订单金额，相较上季91.9亿欧元的历史最高纪录大幅减少，且EUV 订单金额为 6.56 亿欧元也大幅减少。
 





根据ASML公布，第一季营收 53 亿欧元，其中包括 13 亿欧元的安装基础业务，平均毛利率为 51%，净利润为 12 亿欧元。 在手订单金额为 36 亿欧元，其中 EUV 订单金额为 6.56 亿欧元。
 





ASML也预计第二季营收为 57 亿～62 亿欧元。 其中包括 14 亿欧元的安装基础业务，预计毛利率在 50%～51% 之间。
 





ASML强调，公司看待2024 年的节奏并没有改变，延续之前的基调，会将2024年视为一个过渡年，预期2024 年的收入与2023 年相差无几，这意味着2024年下半会比上半场 更强劲。 而2024 年毛利率会略低于 2023 年的毛利率。
 





库存方面，ASML指出，下游库存获得很好的控制，下降到我们认知的正常水平，符合预期。 意即，ASML看好2024 年半导体行业逐渐复苏，为2025年的大成长年做好准备。
 





ASML看好2025年有三个原因：
 





第一，2025 年ASML的EUV设备的最大份额、低数值孔径 EUV工具将是 NXE:3800，带来更好的售价和毛利率。
 





第二，在安装基础业务方面，2025 年将是更加强劲的一年，原因是ASML持续提高 EUV 服务的毛利率，随着市场复苏， 2025 年的升级业务将明显成长。
 





第三，高数值孔径极NA方面，销售量将成长，成本可望降低。








EUV技术方面的最新进展：
 





相较于传统DUV浸入式曝光系统（193nm），EUV 曝光机使用的极紫外光波长（13.5nm）显著降低，晶片厂生产7奈米制程以下的技术时，多图案的DUV步骤可以用单次 曝光EUV 步骤代替。
 





当进入3奈米以下制程，则是使用EUV曝光机，如果要大量推进至2奈米制程，或是更小的尺寸，那就要使用高数值孔径NA曝光机。
 





相较于0.33 数值孔径的EUV曝光机，高数值孔径NA曝光机。
 





将数值孔径提升到 0.55，可进一步提升解析度。 NA越大、解析度越高。
 





ASML第一台第三代EUV曝光机NXE:3800已经交付。 NXE:3800系廾可以用来生产4奈米、5奈米、3奈米和2奈米制程晶片。 其吞吐量相较NXE:3600D，可以从每小时 160 片晶圆增加到每小时 220 片晶圆，生产力提高了 37.5%，NXE:3800设备美台单价1.8亿美元。
 





ASML预期，2024年下半和2025年，NXE:3800 将成为 EUV 销售中越来越重要的一部分，也会为公司带来了更好的平均售价和更好的毛利率。
 





高数值孔径极NA设备方面，提供的电晶体密度实际上是低 NA 工具（标准型EUV）电晶体密度的 3 倍。 ASML的第一个高数值孔径EUV设备位于荷兰 Veldhoven 的 实验室，第二个高数值孔径EUV系统EXE：5200是在英特尔，计划会在14A晶片的生产中使用该工具。
 





高数值孔径极NA系统一台造价3.5亿美元，ASML致力推进高数值孔径极NA设备进入半导体产业，旨在两大目的：一是维持在晶片设备制造领域龙头的地位，二是满足台积电和英特尔 两大半导体客户的需求。 业界则是预估，半导体厂要大量采购并使用高数值孔径EUV设备，预计也要到2030年之后。
 





ASML 下一代高数值孔径极NA设备是EXE：5200系统，可用来生产 2 奈米制程晶片。 EXE:5200 具有更高解析度，可将晶片缩小 1.7 分之一，同时密度增加至 2.9 倍。

 
在中国，三家深具代表性的美国科技公司：英特尔、微软、苹果。 在过去门户大开的20年中，长驱直入中国市场。 当美国与中国从贸易战打到科技战，现在已经演变成中国与西方世界的对立与对抗。 这把科技战火，最终是要烧到这三家美商科技巨头。
 



2023年，微软在中国市场做出两个动作，一是正式关闭领英(LinkedIn)中文版APP，退出耕耘近10年的中国市场，也代表最后一个退出中国市场的西方社群媒体。 二是协助位于北京的微软亚洲研究院 (MSRA) 里的顶尖AI专家撤出中国。
 



2023年9月，传出中国禁止政府相关部门使用苹果iPhone手机，鼓励使用国产手机，惟该消息随后被中国官方否认。 由于苹果一直是股神巴菲特最大重仓的科技股，2023年第四季，巴菲特罕见减持苹果的股份，虽然减持比例很小，但这确实是一个讯号。
 



2024年3月底，传出中美对抗再升级，这次的祭旗对象是在中国地位始终屹立不摇的英特尔。 传出中国官方下令将逐渐限制在伺服器和PC中采购英特尔、AMD的晶片，转为采购国产晶片。 同时，政府采购指南也将排除微软的Windows作业系统和海外制造的数据库软体，全数转为国产化。
 



对苹果、英特尔、AMD而言，中国市场的营收占比不小，分别约不到20%、27%、15%。 无论从CPU地位来看，或是营收占比，英特尔与中国都算是深度绑定，因此冲击也最大。
 



这一年来中国密集朝苹果和英特尔开刀，也被视为是中国与西方世界“切割”的象征。 尤其是拿英特尔祭旗，更被形容为“翅膀硬了”、“要彻底与西方决裂”。
 



英特尔在1985年正式进入中国市场，在北京设立第一个代表处。 主要是因为1979年，中国通过了《中外合资经营企业法》，这是第一个为跨国企业进入中国市场提供的法律依据。 那一年，英特尔刚推出8088微处理器，更是首次进入《财星》「世界500强」排行榜。
 



花了几年时间摸清中国市场，英特尔开始认真投资是1994年，当时英特尔CEO安迪·格鲁夫首次到中国参观，并且在上海成立研发中心。 2007年，英特尔更将中国区划为全球行销网路中的独立区域，给予它在机构、行销和人事等方面的决策权，同一年英特尔大连厂开始投产。
 



经历30年，英特尔与中国的紧密关系，原以为是剪也剪不断，但随着中美关系的降温和科技战的升温，2024年可能是个重大分水岭。
 



未来，PC和伺服器中不用英特尔、AMD的CPU，那要用哪来的晶片？ 改用国产的海光、飞腾、华为、龙芯、兆芯，当中有x86架构、Arm-base，也有自行开发的架构，作业系统是开源码Linux软体。 此时不讲求晶片好用，只要堪用即可。
 



不用苹果iPhone手机，替代方案是爱国心第一选择华为，不然还有OPPO、小米等。 换到安卓系统的适应是习惯问题。
 



中国政府部门减少外商技术的采购行动，并非突然发生。 早在2022年9月，国资委发布79号文《关于开展对标世界一流企业价值创造行动的通知》，部署了国企、央企信创国产化的具体要求和推进时间表，规定国企、央企须 在2027年完成信创全替代，替换范围涵盖晶片、基础软体、作业系统等，涵盖政府、金融、航空航太、电信、交通、校阅、医院、石油、电力等领域。
 



2023年底，中国官方进一步定调科技国产化，针对PC、笔记型电脑和伺服器发布更严格政府采购准则，首份「安全且可信」处理器与作业系统的清单，几乎全是中国企业供应 商。 也象征逐渐降低采购英特尔、AMD的CPU晶片和微软的作业系统，是未来官方软硬体采购的必然方向。
 



是的，中国政府和国企等放弃英特尔、AMD等西方国家的晶片，转为国产替代的期限是：2027年。
 








美国自从2018年陆续制裁中兴、华为以来，演变成对中国全面性的封锁，当中有三大举措影响最深远（由近至远）：
 



第一，针对中国AI算力封锁，以防中国扩张AI算力能力应用在国防、军事系统上。 从最早在2022年，第一枪限制Nvidia的高阶GPU供应，一直演变到2023年直接针对AI算力晶片的限制，间接阻断台积电为中国国产GPU晶片代工的这一条路。
 



第二，美国《晶片法案》规定，获得美国补助的企业在中国等国家扩展半导体生产和研发将会有严格的限制，间接阻断了英特尔、台积电、三星等在中国制程技术与晶圆厂扩 产的进展。
 



第三，2022年限制美国籍公民从事中国半导体制造相关工作，影响所及涵盖长江存储、合肥长鑫、中微半导体等。 由于中国科技产业几乎是海归派和延揽海外人才所建立而成，此限制直接从人才下手，影响十分巨大。
 



第四，对ASML光刻机的限制，从极紫外光EUV扩大到成熟制程使用的DUV系统，也等同直接扩张长臂管辖的范围。 日前更传出美国要求荷兰阻止ASML对中国半导体厂进行维修服务。
 



美国与中国的科技领域全面对抗，发展到英特尔这个层级，算是来到另一个高峰。 过去我们对科技世界的认知是，CPU为科技产品的核心，无论如何英特尔的地位是很难被替代的。 不过，自从生成式AI强势席卷全球，科技世界运转的主导者来到Nvidia身上，既然GPU都可以被禁，火烧到CPU身上也不用太大惊小怪。
 



就台湾产业而言，英特尔、AMD恐被中国排除在外，产业链估计影响有限，因为去中化已经行之有年，无论对晶圆代工、IC设计、AI供应链等，影响均不大 。
 



对中国而言，看来科技产业真的走到一个系统、两个世界的分岔路上，未来科技产业系统将分为中国标准和非中标准，无论大家如何争议中美之间的真假脱钩 ，在科技系统上，双方脱钩成两个标准已经是在路上。

 

台积电将在6月4日股东常会中举行董事改选，今日宣布十位董事被提名人，包括三位现任董事：魏哲家、曾繁城、龚明鑫，四位现任独立董事：彼得邦菲、麦克史宾林特、 摩西盖弗瑞洛夫、拉斐尔莱夫，以及新增的三位独立董事候选人为：乌苏拉伯恩斯、琳恩埃尔森汉斯、林全。
 



除了董事长刘德音一如先前公司宣布将卸任之外，担任台积电董事多年的陈国慈，以及台达电董事长海英俊都将在这次改选中卸任台积电董事。
 



（照片来源：哈佛商业评论）


这次台积电增加的三位独立董事候选人身分非常特别，其中乌苏拉伯恩斯(Ursula M. Burns) 是美国商务部供应链竞争力咨询委员会副主席，也是美国商界最有权力的黑人女性。 黑人、女性，符合美国式的政治正确。 未来对美关系的强化，是台积电的重中之重。
 



乌苏拉伯恩斯曾担任全录公司（Xerox）执行长，是第一位领导财富（Fortune）全球500大企业的非裔女性。 根据公开报导，乌苏拉伯恩斯出生于纽约下东区的贫民窟，从小就由母亲抚养长大，家中有三个小孩，她是老二。 她从小在数学上极具天赋，高中毕业后进入纽约理工学院获得机械工程学士。
 

大学快毕业时，伯恩斯就获得全录的工作机会，公司看重她的潜力甚至愿意资助到哥伦比亚大学继续攻读硕士学位，条件是毕业后为全录工作。 她在1981年拿到硕士学位后，在全录开始了她的职业生涯。 2009年～2016年期间担任全录执行长。
 



离开全录后，柏恩斯担任跨国电信公司Veon执行长，且持续担任多家大型公司的董事。 她也曾加入美国前总统欧巴马促进理工科教育的STEM国家项目，鼓励年轻女性和少数族裔从事数学和科学工作。
 



另一位董事提名人是琳恩‧艾森汉斯，是沙乌地阿拉伯石油公司独立非执行董事及审计委员会主席。
 



第三位是林全，曾担任台积电转投资世界先进的董事长，现任东洋董事长、东生华制药董事长、及硕独董及总统府资政。
 

对于这次董事会提名，刘德音表示，台积电董事会是由来自产业界、学术界、法律界的多元背景专业人士组成，这些具有世界一流业务营运经验的专业人士分别来自台湾、欧洲和美国。 身为主席，我非常幸运参与如此健全的董事会并获得大家的支持，确保台积公司朝着正确的 道路前进。 我衷心感谢所有董事们的付出与贡献，也相信台积公司在新一届董事会的引领之 下将持续迎向光明的未来。 
 



台积电总裁魏哲家博士表示，过去多年来，董事就其专业与丰富的经验，提出建言支持公 司的成长策略，不断强化公司治理。 台积电近年来经历了前所未有的挑战，随着持续变化的产业样貌及地缘政治，我们依然引领技术的开发与进步，推出最先进的技术，强化我们的竞争力，让我们的创新与永续发展 处于领先的地位。 刘董事长将从董事会卸任，我们深表祝福，感谢刘董事长杰出的领导能力，支持台积公司克服挑战并成长茁壮。

年初，博通CEO陈福阳在分析师电话会议上指出，2024财年度AI需求在半导体营收的占比将从先前预测的25%，提升至35%。 在Morgan Stanley最新报告中指出，字节跳动的7nm制程自制AI ASIC晶片，由博通提供设计服务。


大摩也提到，日本最大的ASIC设计服务公司索思未来（Socionext）有机会赢得云端服务商3nm制程Arm-based CPU设计案子，Socionext将成为世芯和创意在云端服务供应商ASIC晶片上的 竞争者。





随着美国禁令对中国的算力晶片的管制趋于严格，即使是Nvidia的特供版晶片，因为调降后的算力大幅降低，对中国客户的吸引力也因此大幅减少。


中国云服务供应商包括华为、百度、阿里巴巴、字节跳动、腾讯都强化投入AI自研晶片，降低对于Nvidia、AMD等GPU的依赖。


目前中国AI自研晶片主要分两派，一派如阿里巴巴的平头哥、百度昆仑芯等，自研力道和规模较大，另一派是腾讯和字节跳动，偏向小规模，但在自研晶片 之路上，腾讯和字节跳动普遍被业界认为是小打小闹。


日前，阿里巴巴董事局主席蔡崇信表示，因为美国限制Nvidia对中国提供高阶晶片，中国在AI发展上可能会较美国OpenAI落后两年，且受到美国晶片禁令限制趋严，确实在短期和中期上影响 了阿里的云业务。 他进一步指出，目前中国云端业务确实面临晶片短缺的问题，目前晶片库存在12～18个月内尚足够支应LLM的训练。

台积电指出，已与美国商务部签署一份不具约束力的初步备忘录(preliminary memorandum of terms, PMT)，基于《晶片与科学法》(CHIPS and Science Act)，TSMC Arizona 将获得最高可达66 亿美元 的直接补助。 同时，台积电将在第二座美国厂导入2nm制程，预计2028年开始生产。
 



美国除了提出 66 亿美元直接补助，也会提供台积电最高可达 50 亿美元的贷款，以及 TSMC Arizona 资本支出中，符合条件的部分申请最高可达 25%的投资税收抵免。
 



之前业界即传出，美国要求台积电转移2nm制程技术到亚利桑那州晶圆厂，才能如期获得补助款，如果只有之前宣布的4nm和3nm制程，恐创新研发能量不足。
 



TSMC Arizona 的第一座晶圆厂依进度将于2025 年上半年开始生产4nm制程技术，继先前宣布的3nm技术，第二座晶圆厂亦也会导入下一世代奈米( Nanosheet)电晶体结构的2nm，预计于2028 年开始生产。
 



同时，台积电也宣布计划在美国建置第三座晶圆厂，采用2奈米或更先进技术，来满足客户强劲需求。 随着第三座晶圆厂的设立计划，台积电在亚利桑那州凤凰城的总资本支出超过650亿美元，创下亚利桑那州史上规模最大的外国直接投资案,也是美国史上规模最大的外国在美直接 绿地(greenfield)投资案。
 



值得注意的是，台积电今日公告中，引用了三家客户的话：AMD、苹果、Nvidia，是台积电美国亚利桑那州厂的三大客户。
 



AMD董事长暨执行长苏姿丰：「突显了雷蒙多部长和美国政府为了确保美国在打造更具地域多样性和弹性的半导体供应链中扮演重要角色,所做出的坚定承诺。台积电长久 以来所提供的先进制造产能，让AMD能专注于设计改变世界的高效能晶片。我们致力于维持与台积电的合作伙伴关系,并期待在美国生产我们最先进的晶片。」
 



苹果执行长 Tim Cook：「台积电处于先进半导体技术的领先位置,当这种专业知识与美国工作者的聪明才智相结合时，任何难以置信的事情都会变成可能。我们很荣幸能在台积电美国生产的拓展中发挥关键作用，我们将继续在美国投资,支持美国先进制造的新时代。 」
 



Nvidia创办人暨执行长黄仁勋表示：「祝贺台积电的历史性投资,并对商务部的支持给予喝采。自从辉达发明 GPU 和加速运算以来，台积电一直是我们的长期合作伙伴，如果没有台积电，Nvidia就不可能在人工智慧AI方面持续创新。 我们很高兴在台积电为亚利桑那州带来其先进制造设施的同时，继续与台积电合作。 」


TSMC Arizona 的三座晶圆厂预计将创造约6,000 个直接工作机会，根据大凤凰城经济发展促进会(Greater Phoenix Economic Council)的分析报告，针对这三座晶圆厂的增额投资将创造累计 超过2 万个单次的建造工作机会，以及数以万计的间接供应商和消费端累计的工作机会。