英特尔宣布，美国俄勒冈州希尔斯伯勒的研发基地中，已完成业界首台ASML供应的商用高数值孔径极紫外光微影设备（High NA EUV）组装，型号为TWINSCAN EXE:5000。
该机台正在进行多项校准步骤，预计2027年启用，率先用于Intel 14A制程，协助英特尔推展未来制程蓝图。 此设备将投影印刷成像到晶圆的光学设计进行改造，明显提升下世代处理器的图像解析度和尺寸缩放。
英特尔计划于2025年Intel 18A的产品验证，以及未来Intel 14A的量产阶段，都会采用0.33和0.55数值孔径的EUV微影设备。
《高数值孔径极紫外光微影设备High NA EUV小科普》
高数值孔径极紫外光High NA EUV技术使用人工的13.5奈米光波长。 此一光波长是利用强大的雷射光束，照射加热至将近摄氏22万度的锡滴上而产生，此温度高出太阳表面平均温度40倍。 光束从含电路图案模板的光罩中反射，再穿过高精度镜组打造的先进光学系统。
NA（Numerical Aperture）数值孔径为衡量光收集和聚焦能力的重要指标，用在光学系统上，决定了光刻的实际图案解析度和缩小电晶体尺寸，以及能够做到的制程节点。 然而，要进一步制造尺寸更小的电晶体，仍需要全新的电晶体结构和相关制程步骤。
ASML目前的EUV曝光机NA只有0.33，对应的解析度为13nm，可以生产金属间距在38～33nm之间的晶片。 往下发展到金属间距缩小到30nm以下，也就是对应的制程节点在5nm以下，解析度就不够了。 或者是需要用多重曝光（pattern shaping）技术来辅助，会导致成本增加且影响良率。
ASML新一代的高数值孔径EUV设备EXE:5000可以做到0.55 NA，解析度缩小到8nm。 相较于0.33数值孔径的EUV微影设备，高数值孔径EUV微影设备（或0.55数值孔径的EUV微影设备）可为类似的晶片尺寸提供更高的成像对比度，可减少每次曝光所需 的进光量，并缩短每层列印时间，从而提高晶圆厂的产能。
采用第一台高数值孔径EUV的英特尔指出，当High NA EUV微影设备与英特尔晶圆代工服务的其他领先制程技术相结合时，列印尺寸预计将比现有EUV机台缩小1.7倍。 由于2D尺寸缩小，密度将提高2.9倍，英特尔将持续引领半导体产业发展更小、更密集的图案化（pattterning）技术，进一步延伸摩尔定律。
《台积电为什么不急着导入高数值孔径EUV？ 》
过去半导体进入EUV时代，全球也是三星第一个先使用EUV设备的Foundry厂，台积电第一代7nm制程仍是用多重曝光，第二代才改用EUV技术。
电晶体架构从FinFET（鳍式场效电晶体）转换到GAA（环绕闸极场效电晶体）架构，竞争对手三星、英特尔都在3nm制程抢着采用GAA电晶体，台积电直到2nm制程才会改采 GAA电晶体架构，预计2025年量产。
从EUV技术导入、采用GAA电晶体，一直到使用高数值孔径EUV技术等历程，可以看出台积电的作风偏向谨慎保守，不会冲第一个采用新技术。
台积电曾回应何时使用高数值孔径EUV设备时表示，技术本身的价值只有在为客户服务时，方能彰显出来。 每当新的工具或设备，台积电都会先研究，看看工具的成熟度和成本，再进一步评估如何去实现。
图说：ASML的TWINSCAN EXE:5000系统的总重量超过150吨，将先分装于250多个货箱中，并集中装入43个货柜，货柜由多架货机运送至西雅图，再利用20辆卡车 运输到俄勒冈州。 一台售价将近4亿美元！ ！ ！