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中国记忆体厂长鑫存储近日来传出合肥晶圆厂因为人为疏失，导致出现上数万片晶圆报废事件，甚至该工厂的厂长遭到撤换。据悉，该名长鑫合肥厂的高管是之前台积电上海松江厂的厂长，当年甚至从台积电位于上海松江8寸和南京12寸晶圆厂带兵百人投靠长鑫存储。业内认为，原本整个PC、手机、消费性产品市场的终端需求原本就极为疲弱，如果该事件导致有不良品低价卖到市场，恐进一步压抑DRAM价格。

在生成式AI需求爆炸性带动下，全球记忆体的光芒都集中在高频宽记忆体HBM身上，更成为SK海力士、美光、三星竞技战场，反而是传统DRAM和快闪记忆体NAND Flash，因为PC、手机、消费性电子、车用等需求疲软，一直乏人问津，今年以来的价格走势更是疲软。原本市场期待HBM在量产和拉升良率的过程中，因为大量消耗wafer，大幅排挤DDR5的产能，带动价格攀升，但实则效果有限，再加上DDR4和DDR3库存问题，实在很难看到DRAM市场何时才能走出谷底。

中国记忆体厂的大举扩增产能动作，一直被视为是未来DRAM和NAND Flash市场供需的一大变数。没想到，近日却传出长鑫存储的合肥厂出现晶圆报废事件。原本业界认为，随着美国出口管制一年年趋严，中国半导体持续加速设备和材料进入快速国产化阶段，在过程中出现良率损失或影响晶圆厂运行效率的状况，其实是不令人意外。因此，原本各界认为这次长鑫合肥厂的失误，可能与导入国产化的材料或设备有关。不过，根据供应链人士指出，这事件应该是人为失误，因此出现有高管被撤换。

据了解，长鑫存储的DRAM月产能约20万片，将逐步朝月产能30万片迈进，主要产品除了原有的DDR4和LPDDR4，也开始跨入DDR5、LPDDR5X，并且计划跨入HBM记忆体，传出已购入半导体设备将发展堆叠8层的HBM2。由于长鑫存储主要产品在利基型DRAM晶片上，随着产能不断扩大，首当其冲影响的会是台厂南亚科和华邦电。在需求疲弱、供给增加的双重压力下，DRAM价格也确实一直被压抑。

长鑫存储成立于2016年，与长江存储同年成立，当年度美光并购台系DRAM合资厂华亚科（南亚科和德商英飞凌合资），全球DRAM产业陷入一阵大整顿，于是出现华亚科的300~400名工程师被长鑫和长江存储挖角到中国工作，当时因为长鑫的合肥晶圆厂建设速度比较快，华亚科的工程师主要都被长鑫存储挖走，当时传出薪水是台湾薪资的三倍起跳。

几年后，长鑫存储的台湾籍员工已经离职一大部分，大多数都让本地员工取代。据悉，长鑫在台籍员工多数离职后，从台积电上海松江厂和南京厂挖角上百名工程师。这次报废事件遭到撤换的合肥厂长，当年就是从台积电上海松江厂跳槽去长鑫工作。

长鑫存储目前产能超过20万片，除了合肥厂，也有北京厂，今年以来更增加上海厂，据了解上海厂会从前段做到后段一条龙统包。同时，长鑫存储也将跨入AI领域的主战场HBM记忆体，从HBM2切入。

半导体业界对于中国切入自主HBM开发并不意外。因为，一直传言美国出口管制禁令的重点，会是在中国的HBM。这次台积电的7奈米制程先被美国商务部口头要求部分审查，应该是因为华为白手套事件的突发状况因此『插队』。不然，下一轮科技战的主战场会是在HBM。

业内人士透露，对于美国出口管制锁定HBM一事，最紧张的是三星，因为SK海力士的HBM主要都供应给Nvidia，美光也成功获得Nvidia认证，一直到明后年出货配合的数量都会放大。

相较起来，三星对于中国市场的依赖度最高，仍有一定比重的HBM是供应给中国数据中心的客户，如果接下来HBM输中被列入出口管制，对三星冲击最大。因此传出三星一直在游说美方放宽HBM出口管制的范围，例如只管制HBM3以上，但就规格的HBM2以下希望能放行。

 

中国资本市场上半年状况不佳，为了避免市场信心崩盘，上海、深圳、北京三大交易所几乎是取消了所有IPO申请，直到进入下半年，各大交易所才再次重新受理企业IPO。



2024年下半，上交所受理的第一个IPO项目，是一家意义上具有重量等级的公司—武汉新芯，其背后代表的是中国NAND Flash大厂长江存储，同时武汉新芯也正在开发人工智能AI相关的记忆体HBM技术。
 



武汉新芯究竟是何方神圣？ 它是一家三维整合、特色存储的晶圆代工厂，也有与台系记忆体厂NOR Flash旺宏、华邦相同的SPI NOR Flash产品线，而武汉新芯背后更重要的身份和意义，是中国NAND Flash大厂长江存储持股68%的子公司。
 



武汉新芯这次的IPO预计募资48亿人民币，这金额不算太高。不过，业界仍将武汉新芯的IPO计划，视为未来长江存储的「血库」之一，因为长江存储本身要上市有一定难度，但身上又背负NAND Flash芯片国产化的目标，需要扩大NAND Flash产能。
 



武汉新芯前身成立于2006年，最早是中芯国际与武汉政府合作成立，由武汉政府出资成立12吋半导体生产线，制程为65nm～40nm，委由中芯国际代管，于2008年9月正式投产，主要是生产中芯为美国NOR Flash大厂飞索Spansion代工的订单，以65nm制程技术生产。
 





2008年金融海啸期间，由于飞索Spansion订单剧减，武汉新芯陷入严重亏损，导致武汉政府想要出售股权。
 



当时，美光积极接洽欲入股武汉新芯，甚至传出台积电也参与武汉新芯股权的洽谈。只是到了最后，中方希望该半导体厂的主导权能维持在中方手上，发一场业界称为「武汉保卫战」之役，最后成功由中芯国际注资，并持续保有武汉新芯主导权。
 



中芯国际与武汉新芯的合作到2013年正式结束，由武汉政府接手。期间，新芯也曾和飞索合作3D NAND技术研发，以及与豪威OmniVision（被韦尔半导体收购）合作开发3D IC技术，奠定日后朝3D堆叠发展的根基。
 



长江存储是一家成立于2016年的NAND Flash半导体公司，虽然成立的时间晚于武汉新芯，但长江存储成立后，武汉新芯遂变成其旗下转投资公司，目前长存对武芯持股约68%。
 



2019年长江存储发表独家的Xtacking技术，将逻辑与记忆体晶片片做堆叠，以规避既有国际记忆体大厂的专利，该Xtacking技术就是源自于武汉新芯的3D IC技术根基来开发。
 



除此之外，武汉新芯有两个值得关注的背景。第一，其目前的法定代表人是杨士宁。他过去曾任新加坡特许半导体的CEO、中芯国际COO，同时也曾任长江存储CEO，之后因为其美籍身份，长江存储被美国商务部关注后，杨逐渐从长江存储退下，转去掌舵武汉新芯。
 



第二，武汉新芯传出建设12吋的HBM记忆体厂，开始购入HBM技术相关设备，初期月产能为3000片。
 



众所周知，HBM为技术门槛十分高，目前技术以SK海力士为首，三星和美光极力追赶，HBM记忆体更是AI的敲门砖，武汉新芯作为长江存储旗下的子公司，也极力参与HBM技术开发、设备采购，以及生产线打造，自然引人注目。






 




根据武汉新芯IPO招股书，是一家具特色工艺晶圆代工企业，聚焦于特色存储、数模混合和三维整合等业务领域，可提供基于多种技术节点、不同工艺平台的各类半导体产品晶圆代工。
 



2023年营收比重中，晶圆代工占67%、自有品牌占16%。以技术平台划分，特色存储占67.7%、数模混合占20.26%、三维整合占4.54%。招股书中指出，公司多项技术及产品已广泛应用于汽车电子、工业控制、消费性电子、电脑等下游领域。

 
中美贸易战随着美国宣布对电动车、半导体、锂电池课征高关税而再度紧张。尤其，美国针对中国半导体的关税提高到50%，将导致现在中国已经供过于求的成熟制程产能，未来过剩的情况更严重，因为采用中国成熟制程所生产的半导体产品，势必因为高关税而减少外销。
 



因此，预计中国官方将祭出更多的政策与方案，来加大力度来推动国产化，可能是更多的补贴政策刺激国产化的速度前进。 否则，这几年中国疯狂新建的成熟制程晶圆代工厂，产能过剩的情况将难以想像。
 



美国这次的大举提高关税，最大一刀是砍向电动车，关税直接拉到100%，呼应特斯拉马斯克所言「如果没有贸易壁垒，世界上多数汽车企业都会被中企击垮。」但 目前比亚迪并未进军美国，中国电动车在美国占比不高，提高电动车关税是在防范未来，要观察的是欧盟会不会跟进针对中国电动车课高关税，因为中国电动车在欧洲 占比很高。
 



美国关税的第二大刀是对中国半导体出手，关税从25%提高到50%，主要目的是降低美国对中国成熟制程产能的依赖。
 



美国手上有两张牌「关税」与「出口管制」，在先进制程上，美国拿出的是出口管制禁令，而在成熟制程上，则是拿出筹谋已经的关税政策。
 



过去几年美国已循序渐进透过限制设备与材料的进口，封锁中国在14~16nm以下的先进制程的逻辑晶片制造。
 



后遗症是，中国开始往成熟制程领域来扩充产能，过去几年加速购买机台设备，甚至是二手机台设备也抢购，中国半导体厂就是怕美国的禁令一步步逼近下，连成熟制程都被封锁 。
 

长期下来，演变成中国的成熟制程产能过剩，便宜的IC、廉价的产品逐渐外销到全世界且极具竞争力，席卷全球，美国也因此有了警戒。
 



不过，对中国成熟制程发出限制令不是美国想做的，祭出高关税的手段压制，才是美国一直以来的计划。
 



除了要阻挡中国低价产品输出海外，晶片透过外销产品渗透到所有电子产品之外，美国打得另一个算盘是，降低对中国制造的传统晶片的依赖度，于是宣布将半导体关税提高到50% 。 未来将会产生四个影响：
 



第一，过去几年来，欧美客户原本委由中国半导体代工，在地缘政治的气氛下，都逐渐将订单转出，首选当然是转给台湾半导体厂代工，包括台积电、联电、力积电 、世界先进。 像是，面板驱动IC原本是台湾的强项，后来中国不断逼近追赶，一方面也是狭持其在面板上的优势之故。
 



未来中国的晶圆代工厂会承接中国客户订单为主，形成一个世界，两个系统。 至于NAND Flash和DRAM记忆体产品，目前中国分别有长江存储和合肥长鑫为供应商，未来也将以供给本土需求为主。
 



第二，中国会加速推展「国产化」，祭出更多政策来鼓励国产化进程。
 



美国对中国半导体课征50%关税，就是冲着中国成熟制程产能而来，如果中国不加速去推国产化，使用国产IC，未来成熟制程供过于求的严重程度，会难以想像。 总之，未来中国应该会加速「国产化」，以去除严重过剩的成熟制程产能。
 



第三，如果有想要外销给美国市场的中国客户，搞不好会选择到非中国本土系统的晶圆代工厂投片，或是使用非中国制造的IC，不然半导体产品会被课征50 %关税，估计消费型产品的机率最大。

第四，该趋势发展下去，全世界电子相关产品会持续面临成本上涨的挑战。 原本全球化运作的世界，现在分裂成两个系统运作，自然会带来成本上升。

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長江儲存董事長陳南翔指出，過去50年半導體產業蓬勃發展，全球化的合作功不可沒，展望2030年全球半導體產業規模將達一兆美元，但現在面臨地緣政治和國家安全帶來的強大不 確定性，未來是否還能達到此目標預期，是有問號的。
 

再者，他也在演講結尾呼籲：請建設誠信和公平原則，假設長江存儲依法合規買的設備拿不到或是無法使用，可以設一個時間內，把設備在新的條件下回購， 這樣才公平。



台積電創辦人張忠謀說：“全球化已死”，有人說這是“再全球化”。 陳南翔表示，他個人同意張忠謀的說法，全球化確實死了。
 

不過，陳南翔也針對「再全球化」的觀點，做了一些思考與分享，他用三個緯度來判斷「再全球化」：當企業在進行中長期發展規劃時，是否具備足夠的系統性、 一致性，以及持續性，這是衡量「在全球化」是否能達成的重要指標。



他分享，過去，促進產業繁榮的全球化離不開和諧五要素：市場與競爭、創新與技術標準、供應鏈、人才流動、資源分配。
 

這當中，要特別說明一個點是，過去半導體的全球化主要驅動力是市場化和商業化思維，創造出全球化＋在地化優勢，帶來商業最大化。 但在地緣政治思考、國家安全思考下，去風險化、抑制他人發展等，都把過去和諧的要素都打破。



陳南翔指出，全球化市場對促進產業發展很重要，全球化的創新和標準像是60年代IBM發明DRAM，發揚光大是在韓國，這些發明和創新不屬於任何一個企業或國家，而是任何一個企業或 國家對全球產業鏈價值的貢獻。
 

手機是全球全球化、標準化最極致的展現。 他分享，15年前出差去日本要配另一支專門手機，去其他國家充電器也要另外帶，現在手機已經是全球標準了，給全球消費者最大的效率和便利性。



全球化供應鏈直接參與者有25個國家，間接參與23個國家，相當接近50個國家參與全球化體系，形成「我當中有你，你中有我」。
 

針對全球人才流動中，許多國家推出許多限制措施，防止自己產業人才流失。 另外，在全球化的資源配置方面，中國在高品質發展下，大量外企在中國設廠，以及中國企業到海外作收購佈局，也是全球化資源配置。



只是，這幾年全球化資源配置也被打亂。 疫情後，美國資源配置增加了新加波、馬來西亞、印度、越南等，這些國家都不是傳統的半導體產業重鎮，這當中反應了對當今半導體產業的國家安全思考的結果。