全球设备龙头ASML在2024年第一季营收中，净系统营收贡献高达49%，逼近整体一半，且更较2023年第四季占比39%上升。 显示，在美国禁令步步逼近下，ASML快马加鞭将设备出货给中国。
整体来看，ASML交出的第一财财报是低于预期的。 第一季36 亿欧元的订单金额，相较上季91.9亿欧元的历史最高纪录大幅减少，且EUV 订单金额为 6.56 亿欧元也大幅减少。
根据ASML公布，第一季营收 53 亿欧元，其中包括 13 亿欧元的安装基础业务，平均毛利率为 51%，净利润为 12 亿欧元。 在手订单金额为 36 亿欧元，其中 EUV 订单金额为 6.56 亿欧元。
ASML也预计第二季营收为 57 亿～62 亿欧元。 其中包括 14 亿欧元的安装基础业务，预计毛利率在 50%～51% 之间。
ASML强调，公司看待2024 年的节奏并没有改变，延续之前的基调，会将2024年视为一个过渡年，预期2024 年的收入与2023 年相差无几，这意味着2024年下半会比上半场 更强劲。 而2024 年毛利率会略低于 2023 年的毛利率。
库存方面，ASML指出，下游库存获得很好的控制，下降到我们认知的正常水平，符合预期。 意即，ASML看好2024 年半导体行业逐渐复苏，为2025年的大成长年做好准备。
ASML看好2025年有三个原因：
第一，2025 年ASML的EUV设备的最大份额、低数值孔径 EUV工具将是 NXE:3800，带来更好的售价和毛利率。
第二，在安装基础业务方面，2025 年将是更加强劲的一年，原因是ASML持续提高 EUV 服务的毛利率，随着市场复苏， 2025 年的升级业务将明显成长。
第三，高数值孔径极NA方面，销售量将成长，成本可望降低。
EUV技术方面的最新进展：
相较于传统DUV浸入式曝光系统（193nm），EUV 曝光机使用的极紫外光波长（13.5nm）显著降低，晶片厂生产7奈米制程以下的技术时，多图案的DUV步骤可以用单次 曝光EUV 步骤代替。
当进入3奈米以下制程，则是使用EUV曝光机，如果要大量推进至2奈米制程，或是更小的尺寸，那就要使用高数值孔径NA曝光机。
相较于0.33 数值孔径的EUV曝光机，高数值孔径NA曝光机。
将数值孔径提升到 0.55，可进一步提升解析度。 NA越大、解析度越高。
ASML第一台第三代EUV曝光机NXE:3800已经交付。 NXE:3800系廾可以用来生产4奈米、5奈米、3奈米和2奈米制程晶片。 其吞吐量相较NXE:3600D，可以从每小时 160 片晶圆增加到每小时 220 片晶圆，生产力提高了 37.5%，NXE:3800设备美台单价1.8亿美元。
ASML预期，2024年下半和2025年，NXE:3800 将成为 EUV 销售中越来越重要的一部分，也会为公司带来了更好的平均售价和更好的毛利率。
高数值孔径极NA设备方面，提供的电晶体密度实际上是低 NA 工具（标准型EUV）电晶体密度的 3 倍。 ASML的第一个高数值孔径EUV设备位于荷兰 Veldhoven 的 实验室，第二个高数值孔径EUV系统EXE：5200是在英特尔，计划会在14A晶片的生产中使用该工具。
高数值孔径极NA系统一台造价3.5亿美元，ASML致力推进高数值孔径极NA设备进入半导体产业，旨在两大目的：一是维持在晶片设备制造领域龙头的地位，二是满足台积电和英特尔 两大半导体客户的需求。 业界则是预估，半导体厂要大量采购并使用高数值孔径EUV设备，预计也要到2030年之后。
ASML 下一代高数值孔径极NA设备是EXE：5200系统，可用来生产 2 奈米制程晶片。 EXE:5200 具有更高解析度，可将晶片缩小 1.7 分之一，同时密度增加至 2.9 倍。