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连于慧 2025/3/18
近期NAND Flash吹涨价风，除了闪迪向客户宣布2025年4月1日起涨价超10%，长江存储的零售品牌致态也将从4月开始涨价10%，存储行业等到春暖花开！ 前阵子业界传出长江存储将Xtacking独家专利授权给三星，长江存储市场负责人范增绪在深圳登场的MemoryS 2025论坛上意味深长表示，「很高兴看到业界的其他友商原厂在新一代产品或未来产品路线图上，也采用了类似架构，这是长江存储用创新给整个存储行业带来的核心贡献！」

生成式AI全球火爆两年来，高带宽HBM聚集所有存储行业的目光，自从2025年DeepSeek这种现象级的开源大模型问世后，大幅降低硬件门槛，让AI开始从云端四面八方走向地端，范增绪在MemoryS 2025论坛上表示，「AI已经不仅是辅助工具，而是正逐渐在改变我们生活和工作的方式，我们正在站一个全面人工智能时代的门口！」

他进一步指出，大模型和各个行业数据与本地数据结合重新的训练、推理，不只是新生的数据，还有很多以前的老数据、存档的数据又拿出来进行再次的训练，  无论是在云端、AI服务器包括终端、AI PC、AI手机、AI车，以及所有其他的AI+ 都需要大量的闪存。长江存储在2018年首次推出全新架构“晶栈”（Xtacking），把存储的阵列和存储的外围逻辑电路分别设计加工制造，然后再用混合键合方式牢固的结合成一个整体，这种架构有三大特点：更快的IO速度、更高的存储密度、更高的品质可靠性，很高兴看到其他友商也在产品路线图上采用了类似的架构，肯定了长江存储用创新带给行业的贡献。

过往长江存储在CFMS论坛上，多是宣传独家技术Xtacking的迭代进展。 2025年是长江存储成立的第9年，公司在技术领域准备完善后，决定首次在MemoryS 2025上完整全方位的存储解决方案和完整的生态建设，看得出来长江存储练功9年，已具备了扎实的技术、产品与生态圈，为下一步「出海」累积充足能量。

范增绪指出，长江存储的解决方案产品系列分为三个产品线，多数都以大规模量产：

第一，     满足于手机、平板、电视机顶盒等IoT需求的嵌入式产品线
第二，     满足笔记本、台式机各种容量规格的消费级产品线
第三，     应用在云计算、数据中心等等场景的企业级产品线

他也选择一些重点产品在MemoryS 2025上做详细介绍：

嵌入式产品UFS4.1：适用于旗舰的AI手机的旗舰产品，容量从 256～1TB共分为三个容量。 在1TB容量上，特点是厚度非常薄只有0.85毫米，适用于折叠手机。同样在性能上，已做到行业标杆，把UFS4.1的带宽速度做到了最高，也可以满足AI旗舰手机对功能的定制。

嵌入式产品是UFS3.1：这款产品去年就已经量产，广泛应用在国内的次旗舰手机里，它用单通道达到了很高的性能，可以看到它的顺序写和随机读写性能对比上一代有非常大的提升，这个对于用户来说有什么好处？ 顺序写的性能可以提高用户大文件写入手机的体验，随机读写的速度可以缩短每个应用打开加载的时间，提高应用和应用之间切换的流畅度。同样，就是因为它有单通道，所以它的功耗是显着低于其他业界友商，而且可以让终端的续航体验得到更好的提升。

嵌入式产品是UFS2.2：这款产品是一个升级的产品，同样的特点是业界首个512GB的UFS2.2，我们也看到越来越多终端手机有对大容量的需求，同样它的随机读写性能非常好，大于200K IPS，在应用的打开和加载方面会很快，应用和应用之间切换会变得更流畅，能效比比上一代产品有20%的提升，这样可以让我们的终端产品的续航更好。

应用在PC端的产品：

PC550：全新的旗舰产品，PCIe5.0产品，性能达到了10GB/S，兼容主流的AI PC平台，用4通道DRAM-Less架构，可以满足低功耗和高功耗比，这样可以让AIPC整体续航变得更好，散热可以变得更好，同时它是DRAM-less，单面设计，可以更好的适合旗舰的轻薄的笔记本电脑。

PClE4.0 PC上做了更好的升级，升级到PC450：和上一代产品一样用4通道可以做到PCle4.0带宽满速，且完全兼容上一代产品，让客户更高效的应用，同时有DRAM-less的低功耗、低发热的特点，让PC续航可以更长。

PC42Q：对比上一代性能有大幅的提升，可以做到7000MB/s，是PCle4.0带宽的上限，同时还有很高的可靠性，寿命高于业界其他的产品，它有超高的能效比，因为它不是DRAM Base，而是DRAM-Less的架构，适用于普通的个人电脑。

企业级应用方面：

长江存储有全新的PCle5.0产品PE511，这款产品也是基于Xtacking4.0的架构，将于今年晚些时候上市，这款产品性能对比上一代产品有100%的提升，同时也增加了16T、32T的大容量。它的耐久度对比上一代产品有20%的提升。

把企业级SSD与传统的企业级机械硬盘相比，具备许多优势：更好的性能、更低的延时，对于AI的预处理、AI的推理以及AI等等的计算有显着效率的提升。其次，企业级SSD方有更高的存储密度、更大的单盘容量，可以降低数据中心成本，同时带来带来节能省电、高效运维，让数据中心运维成本降低。

目前企业级存储包括eNAND的颗粒以及eSSD的解决方案，整个行业正在从TLC转换到QLC，长江存储与合作伙伴起一起推动把蛋糕做大。

最后，长江存储也指出，前几年公司发展确实受到一些「限制」，但我们不屈不挠坚持创新，持续挖掘闪存的价值，期望我们所有的行业、产业链不要只在国内这个小圈子里过度内卷，呼吁大家共同探索蓝海市场，发掘新的机会，给我们客户创造更多的价值！ 业界认为，由于存储产品是大宗标准品，大陆市场需求庞大但竞争十分激烈，像是长江存储这样规模越来越大的公司，未来想要持续扩大发展，追求成长，势必要考虑出海这条路线！
 

在今年的MemoryS 2025上，CFM闪存市场总经理邰炜以《存储格局 价值重塑》为主题进行了演讲。存储正在成为支撑AI算力落地的关键底座，邰炜表示，2024年存储行业迅速走出阴霾，并据CFM闪存市场数据显示，创造了1670亿美元的历史新高，其中NAND Flash市场规模达696亿美元，DRAM市场规模达973亿美元。同时在容量上看到，2025年NAND Flash和DRAM bit容量需求较2024年分别增长12%和15%。

从应用上来看，服务器市场已经成为存储需求发展的核心驱动力，2024年服务器NAND的容量暴增了108%，而服务器DRAM和HBM更是增长了24%和311%，手机和PC市场相比2024年也将有所增长。

CFM闪存市场数据显示，2025年服务器整机台数将继续增长至1330万台，其中AI服务器占比将达到14%，进一步推高服务器的存储配置。

相比较热火朝天的服务器市场，手机市场就显得略平淡。近几年随着消费者换机周期的一再延长，智能手机销量已经趋于平稳。而AI手机的出现将成为智能手机市场新的动力。作为主力的生产力工具，AI在PC上的落地将更显快速，邰炜表示，“今年我们预计AI PC相比去年将有质的飞跃”。

汽车作为存储的下一个重要应用市场，在整车厂的推动下，智能驾驶的普及率有望得以飞速提升，存储系统已从辅助部件蜕变为智能汽车的核心战略资源，车用存储迎来新的发展阶段。

在供应端，从各大存储原厂的财报都可看出，存储原厂基于稳住价格跌幅、保证利润的策略重心，减少旧产能，聚焦先进制程产品的生产以及技术的迁移。整个资本支出将更多投入到更先进封装或研发上，更侧重于HBM、1c、1γ和200层、300层这些先进产能。而整体wafer产出相比以往的增量将减少很多。

在消费淡季的影响下，2025年一季度DRAM和NAND价格已经全面下跌。但是，现在也看到了AI催动了需求的增加，存储技术朝更先进制程上迁移以及原厂在产能资本支出上正在减少。需求回升、供应趋紧，存储行业整体大幅供过于求的现状正在发生改善，尤其在现货市场上已经有了止跌的明显信号，预计在Q2季度，尤其部分NAND产品价格将率先开始止稳，Q3将有机会迎来整体的回升。”

在MemoryS 2025峰会现场，三星电子软件开发团队执行副总裁吴文旭以《人工智能浪潮：重塑存储与内存的新需求格局》为主题发表了重磅演讲。随着生成式AI向多模态融合加速演进，从文本生成到图像/视频合成的算力跃迁正重塑存储产业的技术标尺，对存储设备的性能速度、容量需求和能效优化都提出了更高的要求。

吴文旭表示，其沉浸式静默冷却技术已突破DRAM热管理瓶颈，适配下一代闪存产品，同时探索量子计算与SPDM加密协议的融合，强化数据安全。公司在中国西安建立全自动生产基地，通过数字孪生优化半导体制造流程，并部署66KW双驱电源系统，支撑高密度AI负载。三星强调，将持续联合全球合作伙伴完善CXL生态，推动量子技术产业化落地，并深化与本地客户在定制化HBM、大容量SSD等领域的合作，为AI基础设施提供全栈存储解决方案。

当下，全面人工智能时代正带动着信息技术产业再次变革，并对存力提出了更高要求。在MemoryS 2025峰会中，长江存储市场负责人范增绪发表了题为《晶栈Xtacking全面拥抱AI+时代存力需求》的主题演讲，针对AI+时代长江存储解决方案进行了介绍。

长江存储晶栈Xtacking架构目前已升级至4.0，为NAND带来了更高的IO速度，更高的存储密度和更高的品质可靠性。基于此，长江存储推出了X4-9060(512Gb TLC)、X4-9070(1Tb TLC)和X4-6080(2Tb QLC)三款产品，其在嵌入式存储，消费级SSD，企业级SSD等领域得到了广泛应用，优化了手机、PC的开机速度、应用加载速度，提升多任务流畅度和续航表现，全面拥抱AI+时代应用需求。

在企业级领域，范增绪提到：“QLC SSD相比传统机械硬盘拥有更高的性能和更低延迟，可显著提高AI训练推理效率。此外，其更大的单盘容量可节约机架空间，显著提升数据中心运营效率。”范增绪表示：“长江存储愿携手合作伙伴，共同推动企业级QLC发展。”

近两年，随着云服务提供商的投资集中在AI服务器，对高容量、高密度和更节能的SSD产品需求激增。铠侠首席技术执行官柳茂知在《后AI时代下的SSD市场愿景与关键技术》主题演讲中介绍，“HDD无法满足AI时代存储需求，将为SSD带来新的发展愿景”。

铠侠去年推出了CBA架构及BiCS8产品，并于两周前推出了BiCS10。铠侠将更灵活的CBA架构称为双管齐下的迁移策略。

铠侠BiCS技术路线图将分为两个方向，其一是使用更高层数和高密度的先进存储单元，其二是采用折旧存储单元的部分，这两个方向均能实现更低的成本。其中，BiCS10属于第一个技术分支，通过更先进的存储阵列实现更高的密度和更高的性能，能够支持PCIe 6.0和PCIe 7.0；BiCS9属于第二个技术分支，其存储阵列采用折旧产线生产，搭配最新的CMOS制程，支持PCIe6。柳茂知介绍，“从平面结构到3D堆叠，通过优化耐久性，NAND flash DWPD（每日全盘写入次数）的降低实现了成本下降。”

展望SSD接口演变，柳茂知表示，“PCIe Gen6样品将出现在2025年，部署将于2026年；PCIe Gen7样品将于2028年出现，部署将于2029年。但是大规模升级至PCIe 6接口将在两年后发生，因此客户有足够的时间导入PCIe Gen 5产品。铠侠BiCS8 PCIe Gen5 SSD在性能以及能耗上均实现显著提升。”
 

连于慧 2025.3.14

国内头部企业级SSD大普微董事长兼CEO杨亚飞在深圳举行的MemoryS峰会中表示，当今全球存储产业正进入黄金期，尤其是DeepSeek问世带动AI推理大爆发，传统机械硬盘无法负担频繁的随机查询，一定要用SSD，因此，AI时代的降临迎来了NAND Flash产业新一波黄金期，且未来可延续20年，没看有什么可以技术是可以替代闪存的。
 
杨亚飞在MemoryS峰会媒体论坛中，分享近期DeepSeek带动的AI一体机需求大爆发的趋势。他指出，为了隐私考量，企业不可能把所有资料都放上云端，过去很多中小型行业、研究机构没有能力和资源建构自己的大语言模型，但DeepSeek的出现打破常规，这种专门针对DeepSeek模型设计优化的AI一体机成为当前最火红的产品，让很多中小型企业也可以建立自己的小语言模型，里面装上自己的私有数据和应用，资料不用上传到云端，保密度和安全性都极高，目前AI一体机的主流存储容量约4TB～8TB，价格约2万元。
 
他进一步指出，未来SSD用量最大还是云，但DeepSeek的出现带给很多线下和边缘AI机会，这种AI一体机因为要能随机读写，不能使用传统的机械硬盘，一定要用SSD。 再者，如果要降选择成本的方案，那QLC绝对是最佳选择，其成本只有TLC晶片的三分之二，今年是QLC晶片进入企业级SSD的元年，北美已经有云端供应商开始采用QLC晶片的SSD。总体而言，DeepSeek一体机的应用对SSD会带来至少20％的成长。
 
杨亚飞进一步分享，AI带动的很多应用才刚开始而已，像是当年3G刚刚问世时，大家还在争论要不要用3G，当时3G让手机连网会往黄赌毒方面联想，但现在回过头想，如果当时没有3G，也不会有现在的滴滴、美团、共享单车，所有的新技术要落地和百花齐放，都是要先把路修起来，车子才能跑上。
 
我们现在还在AI早期，到2030年未来数据的增长不是线性的增长，可能是一个指数级的增长，AI工作流包括数据手机、数据预处理、模型训练、模型验证以及模型的推理，在整个全环节里我们可以看到只有数据的收集可以只用机械硬盘，其他环节都要用到SSD。因此，如何更好的优化SSD非常重要，QLC 晶片进入AI应用会是主流趋势。
 
举例而言，拿24TB的机械硬盘和30TB的QLC SSD做一个对比，明显看到性能上的差距非常大的，特别是在模型的训练和模型的推理，因为需要用到随机读写，这个方面QLC  SSD有碾压式的优势。
 
过去QLC SSD给大家使用寿命短的印象，擦写次数DWPD小于1，所以不敢用，但现在来主流QLC  SSD寿命在0.5DWPD，目前所有业务包括AI场景，90%的情况实际上我们用到的DWPD都是小于1的。此外，QLC  SSD在许多方面也有优势，它支持双端口，同时在随机读和随机写都达到了非常好的性能。 
 
AI的应用对存储提出了更高密度、更优成本、更大容量和更高性能的要求，大普微在2023年的时候发布了32TB的QLC，2024年发布了64TB，2025年已经到了128TB，预计2026年即将发表256TB大容量的QLC SSD。

 

传出三星电子在400层的第10代3D NAND（V10）将使用中国3D NAND厂商长江存储的Xtacking专利，尤其是「混合键合」封装技术中的W2W（Wafer-to-Wafer）。长江存储的Xtacking专利特性，是将记忆体晶片和逻辑晶片分别制造后，利用特殊的混合键合技术将两者黏合在一起。 对于双方针对该专利授权协议的消息，我们求证三星电子，公司表示「无法确认。」

三星电子目前在记忆体领域的现状，不单是AI上使用的高频宽记忆体HBM落后SK海力士，在企业等级的SSD技术上，也处于追赶状态。因此，十分可以理解三星亟欲突破现状，朝着重拾记忆体龙头目标前进。

三星目前的NAND技术为第九代的286层3D NAND（V9），先前就传出三星为了追赶竞争对手，将跳过300层的3D NAND技术，直接朝400层的3D NAND技术前进，推出时间点约莫在2026年。

三星从V10开始就传出可能会采用键合技术。主要是因为目前的NAND是在晶圆上配置控制电路（Peripheral），再向上堆叠记忆体单元（cell），但随着cell堆叠层数增加后，会导底部的控制电路Peripheral承压过大而受损。因此，三星打算先堆叠cell，再接合peri，也就是把两个分开做，然后再用混合键合方式接合在一起。而这样的方式就是多年前长江存储推出的Xtacking技术，因此这次传出三星与长江存储就这方面的专利合作，业界其实不意外。

SK海力士先前也传出要在2025年开发400层以上的3D NAND技术，并且协同设备商、材料商共同研发，业界认为，当3D NAND堆叠到400层以上，都必须采用混合键合技术中的晶圆对晶圆（W2W）技术，将两片晶圆直接黏合，如此才能让高层数稳定，且不会损失太多良率。 SK海力士先前量产238层3D NAND，日前更宣布量产321层，再次提升SSD储存密度，非常适合用在资料中心等。
 

连于慧 2024/12/18

AI和非AI造成全球科技产业极度悬殊的贫富差距，也反映在记忆体产业上！ 传统DRAM和NAND Flash乏人问津，高频宽记忆体HBM却是洛阳纸贵，原本在该领域脚步一直落后的台系记忆体厂，也决定高调出招！ 南亚科董事会宣布参与DRAM IC设计公司补丁科技的现金增资，以总投资额不超过新台币6.6亿元，现增后取得补丁38%股权。据了解，双方要一起开发类HBM技术。

补丁科技是何方神圣？ 补丁科技原本就是南亚科的子公司，由丁达刚创立。最早期，丁达刚曾在英特尔、贝尔实验室工作，1990年代回台湾后，次微米计画发展DRAM技术时，由美国回来的卢超群、丁达刚、赵瑚、毛叙、陈冠中等人一同实现了自有DRAM技术的量产，之后更是创立了钰创科技，而基于微米计画发展的DRAM自有技术也在1994年成立世界先进，当时世界先进就是做DRAM自有技术，一直到2004年才转型为晶圆代工至今。丁达刚在钰创成立初期担任过IC设计副总，也在南亚科工作过，后来成立补丁科技至今，一直是从事DRAM IC设计领域。

补丁科技研发的高频宽记忆体为HBLL-RAM，立体堆叠记忆体的技术做法和华邦的Cube、力积电/爱普的解决方案类似，都是不需要用到台积电的CoWoS封装技术。在应用市场面上，台积电、SK海力士、三星、美光的HBM＋CoWoS封装是锁定云端资料中心伺服器，而南亚科/补丁、华邦、力积电/爱普的解决方案比较偏向锁定边缘Edge AI领域，诉求是运算高性能AI计算时，能耗非常低。

据了解，南亚科以10nm DRAM制程和补丁科技一起针对客制化高频宽记忆体的合作，是要一起开发第二代的HBLL 2。业界人士分析，南亚科内部一直有开发设计这种客制化类HBM技术的团队，只是一直没有浮上台面，这次公开与补丁科技携手，可能是南亚科内部的类HBM技术开发团队进度还未成熟，同时补丁科技此时也有资金需求，因此双方决定一起开发类HBM技术，希望能加速AI应用技术的突破。

记忆体厂布局AI领域是一道不能回避的必考题。但是，如果直接去挑战HBM技术，等同是和美光、SK海力士、三星这几家DRAM大厂竞争云端资料中心市场，其技术门槛之高，需要投入资金之庞大，对于台湾记忆体厂而言，完全不实际，更何况三星这样的强势竞争者都可以屡屡受挫。

如何做出类似传统HBM，但可以不需要用到2.5D/3D封装技术，绕开台积电的CoWoS封装技术，是台湾记忆体厂商正在做的解决方案。更重要的是，台记忆体厂这样做法不需要最先进制程的技术，只需要用成熟的半导体技术就可以实现，差别在于容量密度和耗电，特别适合用在边缘AI领域。这种类HBM的做法，也比传统且真正的HBM记忆体便宜非常多，台厂也能利用高性价比的优势，来创造出一些客制化和特殊需求的市场，来开创蓝海。
 

中国记忆体厂长鑫存储近日来传出合肥晶圆厂因为人为疏失，导致出现上数万片晶圆报废事件，甚至该工厂的厂长遭到撤换。据悉，该名长鑫合肥厂的高管是之前台积电上海松江厂的厂长，当年甚至从台积电位于上海松江8寸和南京12寸晶圆厂带兵百人投靠长鑫存储。业内认为，原本整个PC、手机、消费性产品市场的终端需求原本就极为疲弱，如果该事件导致有不良品低价卖到市场，恐进一步压抑DRAM价格。

在生成式AI需求爆炸性带动下，全球记忆体的光芒都集中在高频宽记忆体HBM身上，更成为SK海力士、美光、三星竞技战场，反而是传统DRAM和快闪记忆体NAND Flash，因为PC、手机、消费性电子、车用等需求疲软，一直乏人问津，今年以来的价格走势更是疲软。原本市场期待HBM在量产和拉升良率的过程中，因为大量消耗wafer，大幅排挤DDR5的产能，带动价格攀升，但实则效果有限，再加上DDR4和DDR3库存问题，实在很难看到DRAM市场何时才能走出谷底。

中国记忆体厂的大举扩增产能动作，一直被视为是未来DRAM和NAND Flash市场供需的一大变数。没想到，近日却传出长鑫存储的合肥厂出现晶圆报废事件。原本业界认为，随着美国出口管制一年年趋严，中国半导体持续加速设备和材料进入快速国产化阶段，在过程中出现良率损失或影响晶圆厂运行效率的状况，其实是不令人意外。因此，原本各界认为这次长鑫合肥厂的失误，可能与导入国产化的材料或设备有关。不过，根据供应链人士指出，这事件应该是人为失误，因此出现有高管被撤换。

据了解，长鑫存储的DRAM月产能约20万片，将逐步朝月产能30万片迈进，主要产品除了原有的DDR4和LPDDR4，也开始跨入DDR5、LPDDR5X，并且计划跨入HBM记忆体，传出已购入半导体设备将发展堆叠8层的HBM2。由于长鑫存储主要产品在利基型DRAM晶片上，随着产能不断扩大，首当其冲影响的会是台厂南亚科和华邦电。在需求疲弱、供给增加的双重压力下，DRAM价格也确实一直被压抑。

长鑫存储成立于2016年，与长江存储同年成立，当年度美光并购台系DRAM合资厂华亚科（南亚科和德商英飞凌合资），全球DRAM产业陷入一阵大整顿，于是出现华亚科的300~400名工程师被长鑫和长江存储挖角到中国工作，当时因为长鑫的合肥晶圆厂建设速度比较快，华亚科的工程师主要都被长鑫存储挖走，当时传出薪水是台湾薪资的三倍起跳。

几年后，长鑫存储的台湾籍员工已经离职一大部分，大多数都让本地员工取代。据悉，长鑫在台籍员工多数离职后，从台积电上海松江厂和南京厂挖角上百名工程师。这次报废事件遭到撤换的合肥厂长，当年就是从台积电上海松江厂跳槽去长鑫工作。

长鑫存储目前产能超过20万片，除了合肥厂，也有北京厂，今年以来更增加上海厂，据了解上海厂会从前段做到后段一条龙统包。同时，长鑫存储也将跨入AI领域的主战场HBM记忆体，从HBM2切入。

半导体业界对于中国切入自主HBM开发并不意外。因为，一直传言美国出口管制禁令的重点，会是在中国的HBM。这次台积电的7奈米制程先被美国商务部口头要求部分审查，应该是因为华为白手套事件的突发状况因此『插队』。不然，下一轮科技战的主战场会是在HBM。

业内人士透露，对于美国出口管制锁定HBM一事，最紧张的是三星，因为SK海力士的HBM主要都供应给Nvidia，美光也成功获得Nvidia认证，一直到明后年出货配合的数量都会放大。

相较起来，三星对于中国市场的依赖度最高，仍有一定比重的HBM是供应给中国数据中心的客户，如果接下来HBM输中被列入出口管制，对三星冲击最大。因此传出三星一直在游说美方放宽HBM出口管制的范围，例如只管制HBM3以上，但就规格的HBM2以下希望能放行。

 

中国资本市场上半年状况不佳，为了避免市场信心崩盘，上海、深圳、北京三大交易所几乎是取消了所有IPO申请，直到进入下半年，各大交易所才再次重新受理企业IPO。



2024年下半，上交所受理的第一个IPO项目，是一家意义上具有重量等级的公司—武汉新芯，其背后代表的是中国NAND Flash大厂长江存储，同时武汉新芯也正在开发人工智能AI相关的记忆体HBM技术。
 



武汉新芯究竟是何方神圣？ 它是一家三维整合、特色存储的晶圆代工厂，也有与台系记忆体厂NOR Flash旺宏、华邦相同的SPI NOR Flash产品线，而武汉新芯背后更重要的身份和意义，是中国NAND Flash大厂长江存储持股68%的子公司。
 



武汉新芯这次的IPO预计募资48亿人民币，这金额不算太高。不过，业界仍将武汉新芯的IPO计划，视为未来长江存储的「血库」之一，因为长江存储本身要上市有一定难度，但身上又背负NAND Flash芯片国产化的目标，需要扩大NAND Flash产能。
 



武汉新芯前身成立于2006年，最早是中芯国际与武汉政府合作成立，由武汉政府出资成立12吋半导体生产线，制程为65nm～40nm，委由中芯国际代管，于2008年9月正式投产，主要是生产中芯为美国NOR Flash大厂飞索Spansion代工的订单，以65nm制程技术生产。
 





2008年金融海啸期间，由于飞索Spansion订单剧减，武汉新芯陷入严重亏损，导致武汉政府想要出售股权。
 



当时，美光积极接洽欲入股武汉新芯，甚至传出台积电也参与武汉新芯股权的洽谈。只是到了最后，中方希望该半导体厂的主导权能维持在中方手上，发一场业界称为「武汉保卫战」之役，最后成功由中芯国际注资，并持续保有武汉新芯主导权。
 



中芯国际与武汉新芯的合作到2013年正式结束，由武汉政府接手。期间，新芯也曾和飞索合作3D NAND技术研发，以及与豪威OmniVision（被韦尔半导体收购）合作开发3D IC技术，奠定日后朝3D堆叠发展的根基。
 



长江存储是一家成立于2016年的NAND Flash半导体公司，虽然成立的时间晚于武汉新芯，但长江存储成立后，武汉新芯遂变成其旗下转投资公司，目前长存对武芯持股约68%。
 



2019年长江存储发表独家的Xtacking技术，将逻辑与记忆体晶片片做堆叠，以规避既有国际记忆体大厂的专利，该Xtacking技术就是源自于武汉新芯的3D IC技术根基来开发。
 



除此之外，武汉新芯有两个值得关注的背景。第一，其目前的法定代表人是杨士宁。他过去曾任新加坡特许半导体的CEO、中芯国际COO，同时也曾任长江存储CEO，之后因为其美籍身份，长江存储被美国商务部关注后，杨逐渐从长江存储退下，转去掌舵武汉新芯。
 



第二，武汉新芯传出建设12吋的HBM记忆体厂，开始购入HBM技术相关设备，初期月产能为3000片。
 



众所周知，HBM为技术门槛十分高，目前技术以SK海力士为首，三星和美光极力追赶，HBM记忆体更是AI的敲门砖，武汉新芯作为长江存储旗下的子公司，也极力参与HBM技术开发、设备采购，以及生产线打造，自然引人注目。






 




根据武汉新芯IPO招股书，是一家具特色工艺晶圆代工企业，聚焦于特色存储、数模混合和三维整合等业务领域，可提供基于多种技术节点、不同工艺平台的各类半导体产品晶圆代工。
 



2023年营收比重中，晶圆代工占67%、自有品牌占16%。以技术平台划分，特色存储占67.7%、数模混合占20.26%、三维整合占4.54%。招股书中指出，公司多项技术及产品已广泛应用于汽车电子、工业控制、消费性电子、电脑等下游领域。

要说AI拯救全世界是一点也不为过！ 2022年底OpenAI刮起的炫风，到2024年都还是热腾腾的巨大商机。 NAND Flash控制晶片大厂慧荣SMI总经理苟嘉章指出，Nvidia囊括AI领域90%市占，其霸主地位在未来3～5年内都很难被撼动，且未来AI算力从云端会逐渐下放 到边缘端，对存储产业而言会是史上难得一见机会！
 
即将登场的COMPUTEX 2024也是宛如全球科技界的AI盛会，不但服务器和资料中心继续火热，更有AI PC、生成式AI手机题材要开始发酵，AI几乎拯救了全世界的科技产业！
 
苟嘉章也认为，受惠资料中心对于NAND Flash的需求旺，虽然现货通路端买气不佳，但资料中心的需求非常强劲，需要的存储容量从原本4~8TB增加到32TB，估计NAND价格涨 到2024年下半年没问题，一直到2025年上半年目前都没看到败象。

从供给端来看，苟嘉章也分析，NAND Flash原厂2024年才刚刚转亏为盈，开始赚钱而已，恢复正常生产会循序渐进，且不会躁进马上扩建新晶圆厂，大家有志一同以 利润为优先，先把亏的钱赚回来再说。
 
SK海力士第一季毛利率39%，美光20%，据了解，至少要等这些NAND Flash原厂的毛利率连续数季站稳40%以上，才会考虑增加新产能，至少今年都会是NAND Flash存储产业的甜蜜年。

存储产业在供给端的另一个观察是各大厂的军备竞赛都集中在DRAM HBM记忆体。 最近才传出三星的HBM3过热，没通过Nvidia测试，三星要取代SK海力士成为HBM龙头的梦想，只能再等等，日前三星才宣布半导体负责人换帅，就是因为AI进度落后之故。
 
业界透露，其实SK海力士现在的HBM技术团队，其实当初是从三星过去的，三星现在应该是悔不当初。 事实上，三星这几年在Foundrr和Memory两大关键版图上都狂掉队很明显，这与接班人李在镕2017年入狱有很大关系。 这么大的财阀企业群龙无首，估计各个事业部的负责人也不敢拍板做大决定，等到2021年李在镕特赦出来，世界早已经出现翻天覆地的变化，现在三星要奋力追赶，自然需花上更 多的功夫。
 
苟嘉章的观点是，三星在存储领域长期奠定很深远的实力，未来在HBM发展上仍是很有机会，且现在最著急的人应该是Nvidia，因为如果HBM主要供应都掌握在一家手里， Nvidia的AI产品在产能和价格上会一直无法取得更高主导权，因此Nvidia一定会协助三星HBM技术尽快有突破。
 
另外，他也表示QLC NAND也很适合用在资料中心，慧荣会和NAND Flash大厂、模组厂、服务器厂商一起推动AI发展。 另外，生成式AI手机会是一大机，平价手机也需要AI功能，未来各项应用对于存储需要的容量会呈现爆炸性成长。

 
中美贸易战随着美国宣布对电动车、半导体、锂电池课征高关税而再度紧张。尤其，美国针对中国半导体的关税提高到50%，将导致现在中国已经供过于求的成熟制程产能，未来过剩的情况更严重，因为采用中国成熟制程所生产的半导体产品，势必因为高关税而减少外销。
 



因此，预计中国官方将祭出更多的政策与方案，来加大力度来推动国产化，可能是更多的补贴政策刺激国产化的速度前进。 否则，这几年中国疯狂新建的成熟制程晶圆代工厂，产能过剩的情况将难以想像。
 



美国这次的大举提高关税，最大一刀是砍向电动车，关税直接拉到100%，呼应特斯拉马斯克所言「如果没有贸易壁垒，世界上多数汽车企业都会被中企击垮。」但 目前比亚迪并未进军美国，中国电动车在美国占比不高，提高电动车关税是在防范未来，要观察的是欧盟会不会跟进针对中国电动车课高关税，因为中国电动车在欧洲 占比很高。
 



美国关税的第二大刀是对中国半导体出手，关税从25%提高到50%，主要目的是降低美国对中国成熟制程产能的依赖。
 



美国手上有两张牌「关税」与「出口管制」，在先进制程上，美国拿出的是出口管制禁令，而在成熟制程上，则是拿出筹谋已经的关税政策。
 



过去几年美国已循序渐进透过限制设备与材料的进口，封锁中国在14~16nm以下的先进制程的逻辑晶片制造。
 



后遗症是，中国开始往成熟制程领域来扩充产能，过去几年加速购买机台设备，甚至是二手机台设备也抢购，中国半导体厂就是怕美国的禁令一步步逼近下，连成熟制程都被封锁 。
 

长期下来，演变成中国的成熟制程产能过剩，便宜的IC、廉价的产品逐渐外销到全世界且极具竞争力，席卷全球，美国也因此有了警戒。
 



不过，对中国成熟制程发出限制令不是美国想做的，祭出高关税的手段压制，才是美国一直以来的计划。
 



除了要阻挡中国低价产品输出海外，晶片透过外销产品渗透到所有电子产品之外，美国打得另一个算盘是，降低对中国制造的传统晶片的依赖度，于是宣布将半导体关税提高到50% 。 未来将会产生四个影响：
 



第一，过去几年来，欧美客户原本委由中国半导体代工，在地缘政治的气氛下，都逐渐将订单转出，首选当然是转给台湾半导体厂代工，包括台积电、联电、力积电 、世界先进。 像是，面板驱动IC原本是台湾的强项，后来中国不断逼近追赶，一方面也是狭持其在面板上的优势之故。
 



未来中国的晶圆代工厂会承接中国客户订单为主，形成一个世界，两个系统。 至于NAND Flash和DRAM记忆体产品，目前中国分别有长江存储和合肥长鑫为供应商，未来也将以供给本土需求为主。
 



第二，中国会加速推展「国产化」，祭出更多政策来鼓励国产化进程。
 



美国对中国半导体课征50%关税，就是冲着中国成熟制程产能而来，如果中国不加速去推国产化，使用国产IC，未来成熟制程供过于求的严重程度，会难以想像。 总之，未来中国应该会加速「国产化」，以去除严重过剩的成熟制程产能。
 



第三，如果有想要外销给美国市场的中国客户，搞不好会选择到非中国本土系统的晶圆代工厂投片，或是使用非中国制造的IC，不然半导体产品会被课征50 %关税，估计消费型产品的机率最大。

第四，该趋势发展下去，全世界电子相关产品会持续面临成本上涨的挑战。 原本全球化运作的世界，现在分裂成两个系统运作，自然会带来成本上升。

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群联5月10日举行法说，执行长潘健成指出，第二季是电子产业传统淡季，很多手机厂和PC厂都已经吃了很多库存，暂时不饿，但遇上市场处于传统淡季需求很 弱，中国记忆体模组厂受不了开始低价抛售手上的NAND Flash，但群联不打算跟进。
 



他指出公司在汽车、企业级SSD、PC OEM等更有附加价值的领域都有斩获，不会跟进中国记忆体模组厂低价抛售NAND Flash库存换现金，到了2026年，耕耘许久的高 毛利企业级产品线，会是群联电子最大的营收来源！
 



截至第一季底，群联合并存货金额为新台币301.58亿元，较2023年底244亿元攀升。 今年记忆体产业走出谷底，加上有AI手机、AI PC题材，群联手握充足库存，迎接记忆体产业黄金时刻。 潘健成指出，现在库存很够用，但如果上游原厂需要帮忙，会考虑买一点。
 



群联指出，NAND原厂渡过亏损的2023年，2024年第一季开始已转亏为盈，此时的NAND Flash价格走势稳定有助于产业供需更为健康，如果价格在短期内急增， 等同让终端需求再度缩手，或是缩减NAND搭载的容量。 他更直言，NAND价格若在急涨，会出现泡沫化 (Bubble)。
 



在汽车领域，群联的NAND Flash控制晶片渗透率不错，但模组系统进入该市场需要时间，此次法说会释出的好消息是模组系统已经拿下多个design-win案子，会 持续在2025和2026年发酵。
 



在手机方面，群联和高通、联发科都有合作案子在走，很多都是针对中国本土智能手机的开案上。 系统厂方面，第三季开始是传统旺季，今年又有AI PC的全新换机题材，都陆续会有备货需求。
 



在企业SSD方面，2023年第一季企业SSD模组占营收3%，到了2024年第一季占比提升至5%，公司预计企业SSD未来占比会快速攀升。
 



群联也指出，2024 年第一季的营收创历史同期次高，主要是长期耕耘的Embedded ODM、伺服器应用等Design-in市场 有显著斩获。 再者，若不考虑库存备抵回转以及库藏股转让员工费用等影响，1Q24 与4Q23的原始毛利率其实是相近的，这也反应群联在Design-in的布局上，有助公司整体的长期 获利稳定度。
 



针对营运，潘健成进一步说明，NAND 原厂在短期内推升市场价格，的确对消费型的NAND 储存需求有影响，然群联广泛布局NAND 储存应用包含工控系统、电竞主机、车载应用、企业级 SSD，以及近期扩大推广的独家专利AI 方案“aiDAPTIV+”等各种Design-in持续如火如荼进行中，这些策略都有效提升群联在各种“非消费型”应用的市占率及贡献度提升，近一步 贡献获利。
 



群联2024年第一季合并营收新台币 165.26 亿元，较前季增加4.9%，较去年同期增加64%，毛利率33.9%，净利24.2亿元，每股盈余12.02元。

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長江儲存董事長陳南翔指出，過去50年半導體產業蓬勃發展，全球化的合作功不可沒，展望2030年全球半導體產業規模將達一兆美元，但現在面臨地緣政治和國家安全帶來的強大不 確定性，未來是否還能達到此目標預期，是有問號的。
 

再者，他也在演講結尾呼籲：請建設誠信和公平原則，假設長江存儲依法合規買的設備拿不到或是無法使用，可以設一個時間內，把設備在新的條件下回購， 這樣才公平。



台積電創辦人張忠謀說：“全球化已死”，有人說這是“再全球化”。 陳南翔表示，他個人同意張忠謀的說法，全球化確實死了。
 

不過，陳南翔也針對「再全球化」的觀點，做了一些思考與分享，他用三個緯度來判斷「再全球化」：當企業在進行中長期發展規劃時，是否具備足夠的系統性、 一致性，以及持續性，這是衡量「在全球化」是否能達成的重要指標。



他分享，過去，促進產業繁榮的全球化離不開和諧五要素：市場與競爭、創新與技術標準、供應鏈、人才流動、資源分配。
 

這當中，要特別說明一個點是，過去半導體的全球化主要驅動力是市場化和商業化思維，創造出全球化＋在地化優勢，帶來商業最大化。 但在地緣政治思考、國家安全思考下，去風險化、抑制他人發展等，都把過去和諧的要素都打破。



陳南翔指出，全球化市場對促進產業發展很重要，全球化的創新和標準像是60年代IBM發明DRAM，發揚光大是在韓國，這些發明和創新不屬於任何一個企業或國家，而是任何一個企業或 國家對全球產業鏈價值的貢獻。
 

手機是全球全球化、標準化最極致的展現。 他分享，15年前出差去日本要配另一支專門手機，去其他國家充電器也要另外帶，現在手機已經是全球標準了，給全球消費者最大的效率和便利性。



全球化供應鏈直接參與者有25個國家，間接參與23個國家，相當接近50個國家參與全球化體系，形成「我當中有你，你中有我」。
 

針對全球人才流動中，許多國家推出許多限制措施，防止自己產業人才流失。 另外，在全球化的資源配置方面，中國在高品質發展下，大量外企在中國設廠，以及中國企業到海外作收購佈局，也是全球化資源配置。



只是，這幾年全球化資源配置也被打亂。 疫情後，美國資源配置增加了新加波、馬來西亞、印度、越南等，這些國家都不是傳統的半導體產業重鎮，這當中反應了對當今半導體產業的國家安全思考的結果。