半导体
中国DRAM厂长鑫存储传上万片报废晶圆,前台积电上海厂长遭撤换
中国记忆体厂长鑫存储近日来传出合肥晶圆厂因为人为疏失,导致出现上数万片晶圆报废事件,甚至该工厂的厂长遭到撤换。据悉,该名长鑫合肥厂的高管是之前台积电上海松江厂的厂长,当年甚至从台积电位于上海松江8寸和南京12寸晶圆厂带兵百人投靠长鑫存储。业内认为,原本整个PC、手机、消费性产品市场的终端需求原本就极为疲弱,如果该事件导致有不良品低价卖到市场,恐进一步压抑DRAM价格。
在生成式AI需求爆炸性带动下,全球记忆体的光芒都集中在高频宽记忆体HBM身上,更成为SK海力士、美光、三星竞技战场,反而是传统DRAM和快闪记忆体NAND Flash,因为PC、手机、消费性电子、车用等需求疲软,一直乏人问津,今年以来的价格走势更是疲软。原本市场期待HBM在量产和拉升良率的过程中,因为大量消耗wafer,大幅排挤DDR5的产能,带动价格攀升,但实则效果有限,再加上DDR4和DDR3库存问题,实在很难看到DRAM市场何时才能走出谷底。
中国记忆体厂的大举扩增产能动作,一直被视为是未来DRAM和NAND Flash市场供需的一大变数。没想到,近日却传出长鑫存储的合肥厂出现晶圆报废事件。原本业界认为,随着美国出口管制一年年趋严,中国半导体持续加速设备和材料进入快速国产化阶段,在过程中出现良率损失或影响晶圆厂运行效率的状况,其实是不令人意外。因此,原本各界认为这次长鑫合肥厂的失误,可能与导入国产化的材料或设备有关。不过,根据供应链人士指出,这事件应该是人为失误,因此出现有高管被撤换。
据了解,长鑫存储的DRAM月产能约20万片,将逐步朝月产能30万片迈进,主要产品除了原有的DDR4和LPDDR4,也开始跨入DDR5、LPDDR5X,并且计划跨入HBM记忆体,传出已购入半导体设备将发展堆叠8层的HBM2。由于长鑫存储主要产品在利基型DRAM晶片上,随着产能不断扩大,首当其冲影响的会是台厂南亚科和华邦电。在需求疲弱、供给增加的双重压力下,DRAM价格也确实一直被压抑。
长鑫存储成立于2016年,与长江存储同年成立,当年度美光并购台系DRAM合资厂华亚科(南亚科和德商英飞凌合资),全球DRAM产业陷入一阵大整顿,于是出现华亚科的300~400名工程师被长鑫和长江存储挖角到中国工作,当时因为长鑫的合肥晶圆厂建设速度比较快,华亚科的工程师主要都被长鑫存储挖走,当时传出薪水是台湾薪资的三倍起跳。
几年后,长鑫存储的台湾籍员工已经离职一大部分,大多数都让本地员工取代。据悉,长鑫在台籍员工多数离职后,从台积电上海松江厂和南京厂挖角上百名工程师。这次报废事件遭到撤换的合肥厂长,当年就是从台积电上海松江厂跳槽去长鑫工作。
长鑫存储目前产能超过20万片,除了合肥厂,也有北京厂,今年以来更增加上海厂,据了解上海厂会从前段做到后段一条龙统包。同时,长鑫存储也将跨入AI领域的主战场HBM记忆体,从HBM2切入。
半导体业界对于中国切入自主HBM开发并不意外。因为,一直传言美国出口管制禁令的重点,会是在中国的HBM。这次台积电的7奈米制程先被美国商务部口头要求部分审查,应该是因为华为白手套事件的突发状况因此『插队』。不然,下一轮科技战的主战场会是在HBM。
业内人士透露,对于美国出口管制锁定HBM一事,最紧张的是三星,因为SK海力士的HBM主要都供应给Nvidia,美光也成功获得Nvidia认证,一直到明后年出货配合的数量都会放大。
相较起来,三星对于中国市场的依赖度最高,仍有一定比重的HBM是供应给中国数据中心的客户,如果接下来HBM输中被列入出口管制,对三星冲击最大。因此传出三星一直在游说美方放宽HBM出口管制的范围,例如只管制HBM3以上,但就规格的HBM2以下希望能放行。
在生成式AI需求爆炸性带动下,全球记忆体的光芒都集中在高频宽记忆体HBM身上,更成为SK海力士、美光、三星竞技战场,反而是传统DRAM和快闪记忆体NAND Flash,因为PC、手机、消费性电子、车用等需求疲软,一直乏人问津,今年以来的价格走势更是疲软。原本市场期待HBM在量产和拉升良率的过程中,因为大量消耗wafer,大幅排挤DDR5的产能,带动价格攀升,但实则效果有限,再加上DDR4和DDR3库存问题,实在很难看到DRAM市场何时才能走出谷底。
中国记忆体厂的大举扩增产能动作,一直被视为是未来DRAM和NAND Flash市场供需的一大变数。没想到,近日却传出长鑫存储的合肥厂出现晶圆报废事件。原本业界认为,随着美国出口管制一年年趋严,中国半导体持续加速设备和材料进入快速国产化阶段,在过程中出现良率损失或影响晶圆厂运行效率的状况,其实是不令人意外。因此,原本各界认为这次长鑫合肥厂的失误,可能与导入国产化的材料或设备有关。不过,根据供应链人士指出,这事件应该是人为失误,因此出现有高管被撤换。
据了解,长鑫存储的DRAM月产能约20万片,将逐步朝月产能30万片迈进,主要产品除了原有的DDR4和LPDDR4,也开始跨入DDR5、LPDDR5X,并且计划跨入HBM记忆体,传出已购入半导体设备将发展堆叠8层的HBM2。由于长鑫存储主要产品在利基型DRAM晶片上,随着产能不断扩大,首当其冲影响的会是台厂南亚科和华邦电。在需求疲弱、供给增加的双重压力下,DRAM价格也确实一直被压抑。
长鑫存储成立于2016年,与长江存储同年成立,当年度美光并购台系DRAM合资厂华亚科(南亚科和德商英飞凌合资),全球DRAM产业陷入一阵大整顿,于是出现华亚科的300~400名工程师被长鑫和长江存储挖角到中国工作,当时因为长鑫的合肥晶圆厂建设速度比较快,华亚科的工程师主要都被长鑫存储挖走,当时传出薪水是台湾薪资的三倍起跳。
几年后,长鑫存储的台湾籍员工已经离职一大部分,大多数都让本地员工取代。据悉,长鑫在台籍员工多数离职后,从台积电上海松江厂和南京厂挖角上百名工程师。这次报废事件遭到撤换的合肥厂长,当年就是从台积电上海松江厂跳槽去长鑫工作。
长鑫存储目前产能超过20万片,除了合肥厂,也有北京厂,今年以来更增加上海厂,据了解上海厂会从前段做到后段一条龙统包。同时,长鑫存储也将跨入AI领域的主战场HBM记忆体,从HBM2切入。
半导体业界对于中国切入自主HBM开发并不意外。因为,一直传言美国出口管制禁令的重点,会是在中国的HBM。这次台积电的7奈米制程先被美国商务部口头要求部分审查,应该是因为华为白手套事件的突发状况因此『插队』。不然,下一轮科技战的主战场会是在HBM。
业内人士透露,对于美国出口管制锁定HBM一事,最紧张的是三星,因为SK海力士的HBM主要都供应给Nvidia,美光也成功获得Nvidia认证,一直到明后年出货配合的数量都会放大。
相较起来,三星对于中国市场的依赖度最高,仍有一定比重的HBM是供应给中国数据中心的客户,如果接下来HBM输中被列入出口管制,对三星冲击最大。因此传出三星一直在游说美方放宽HBM出口管制的范围,例如只管制HBM3以上,但就规格的HBM2以下希望能放行。