三星从2年前就规划逐步要退出DDR3供应，市场传出，原本计划2024年底要针对DDR3做EOL（end-of-life）现在提前至2024年中停止生产DDR3，而SK海力士在DDR3 晶片上的供应原本就不多，预计未来会更淡出DDR3供应之列。 业界预期，DDR3提前退役，可望加速DDR3库存消化，准备启动另一番涨势。
记忆体今年市况不错，主要是2023年上游原厂亏损严重，开始从源头控盘拉抬价格，这招式是千年不变，万年受用！ NAND Flash和DRAM产业也在这一轮的景气循环中，正大光明地走出谷底，等待终端需求大力添加柴火。
这一波DRAM产业有两个题材，一是AI需要的高频宽记忆体HBM对于DDR5的排挤效应，且HBM真的吃掉很多记忆体的Wafer产能; 第二是韩系国际记忆体大厂年底前 要陆续退出DDR3的生产之列。
两大韩厂三星、SK海力士要退出DDR3生产已经规划许久，日前传出最大供应商三星原本是计划年底前停止生产，基于产能配置，提前到2024年中停止生产DDR3，SK海力士原本的DDR3 供应数量就很少，逐步淡出符合预期规划，这对于台湾DRAM相关厂商是好消息。
HBM在AI时代成为要角，记忆体产业主轴是“排挤”。
首先，HBM是SK海力士的翻身之作，未来在技术、产能、资源分配上，无论是SK海力士、三星或美光，绝对是全力抢占HBM市占率，AI才是未来主角。 因此，这些大厂不可能会有太多产能给传统的DRAM，HBM对DDR5产能的排挤，恐怕刚开始而已。 除非，你觉得AI是泡沫，是昙花一现，你觉得ChatGPT很快会消失。
业界分析，HBM生产周期包含TSV封装，比DDR5的生产周期至少多出1.5个月，HBM3E的Wafer面积更是DDR5的三倍大。 假如投片16Gb DDR5颗粒，每片Wafer的Gross die是1800颗，同样的Wafer拿去生产HBM3E，搞不好只剩下600颗。
DRAM厂为了解决HBM瓶颈且拉升良率，只会有越来越多的DRAM产能转移到HBM身上。 有消息指出，HBM平均良率约在65%左右，但业界认为实际的良率其实更低。 而且，HBM一旦有一个晶片有缺陷，整个封装都不能用。 另外，HBM的生命周期又比传统DRAM短。
美光执行长Sanjay Mehrotra 曾表示，HBM因为包含了逻辑控制晶片，加上更复杂的封装堆叠，且生产HBM过程会很大幅度影响良率，因此生产HBM3和HBM3E会吃掉很大部分的DRAM Wafer 供应。
辉达Nvidia执行长黄仁勋也指出，HBM是技术奇迹，它的技术非常复杂，但能提高AI效能，附加价值非常高，他非常重视与SK 海力士、三星在HBM记忆体上的合作关系。
全球市场中，HBM市占率最高的是SK海力士，其次是三星，两者合计应该有占90%市场，美光排名第三。
目前，SK 海力士的 HBM3E已经量产，辉达Nvidia绝对是优先出货的重要客户。
三星的8层HBM3E在量产时程上微幅落后，外传，三星HBM3的良率只有10~20%，但SK海力士的HBM3良率却已来到60~70%。 幸好，三星最终仍是拿下辉达H200订单。 三星也强调自己将会推出业界首款12层HBM3E，是目前容量最高HBM产品，预计会很快量产。