半导体

 
中美贸易战随着美国宣布对电动车、半导体、锂电池课征高关税而再度紧张。尤其，美国针对中国半导体的关税提高到50%，将导致现在中国已经供过于求的成熟制程产能，未来过剩的情况更严重，因为采用中国成熟制程所生产的半导体产品，势必因为高关税而减少外销。
 



因此，预计中国官方将祭出更多的政策与方案，来加大力度来推动国产化，可能是更多的补贴政策刺激国产化的速度前进。 否则，这几年中国疯狂新建的成熟制程晶圆代工厂，产能过剩的情况将难以想像。
 



美国这次的大举提高关税，最大一刀是砍向电动车，关税直接拉到100%，呼应特斯拉马斯克所言「如果没有贸易壁垒，世界上多数汽车企业都会被中企击垮。」但 目前比亚迪并未进军美国，中国电动车在美国占比不高，提高电动车关税是在防范未来，要观察的是欧盟会不会跟进针对中国电动车课高关税，因为中国电动车在欧洲 占比很高。
 



美国关税的第二大刀是对中国半导体出手，关税从25%提高到50%，主要目的是降低美国对中国成熟制程产能的依赖。
 



美国手上有两张牌「关税」与「出口管制」，在先进制程上，美国拿出的是出口管制禁令，而在成熟制程上，则是拿出筹谋已经的关税政策。
 



过去几年美国已循序渐进透过限制设备与材料的进口，封锁中国在14~16nm以下的先进制程的逻辑晶片制造。
 



后遗症是，中国开始往成熟制程领域来扩充产能，过去几年加速购买机台设备，甚至是二手机台设备也抢购，中国半导体厂就是怕美国的禁令一步步逼近下，连成熟制程都被封锁 。
 

长期下来，演变成中国的成熟制程产能过剩，便宜的IC、廉价的产品逐渐外销到全世界且极具竞争力，席卷全球，美国也因此有了警戒。
 



不过，对中国成熟制程发出限制令不是美国想做的，祭出高关税的手段压制，才是美国一直以来的计划。
 



除了要阻挡中国低价产品输出海外，晶片透过外销产品渗透到所有电子产品之外，美国打得另一个算盘是，降低对中国制造的传统晶片的依赖度，于是宣布将半导体关税提高到50% 。 未来将会产生四个影响：
 



第一，过去几年来，欧美客户原本委由中国半导体代工，在地缘政治的气氛下，都逐渐将订单转出，首选当然是转给台湾半导体厂代工，包括台积电、联电、力积电 、世界先进。 像是，面板驱动IC原本是台湾的强项，后来中国不断逼近追赶，一方面也是狭持其在面板上的优势之故。
 



未来中国的晶圆代工厂会承接中国客户订单为主，形成一个世界，两个系统。 至于NAND Flash和DRAM记忆体产品，目前中国分别有长江存储和合肥长鑫为供应商，未来也将以供给本土需求为主。
 



第二，中国会加速推展「国产化」，祭出更多政策来鼓励国产化进程。
 



美国对中国半导体课征50%关税，就是冲着中国成熟制程产能而来，如果中国不加速去推国产化，使用国产IC，未来成熟制程供过于求的严重程度，会难以想像。 总之，未来中国应该会加速「国产化」，以去除严重过剩的成熟制程产能。
 



第三，如果有想要外销给美国市场的中国客户，搞不好会选择到非中国本土系统的晶圆代工厂投片，或是使用非中国制造的IC，不然半导体产品会被课征50 %关税，估计消费型产品的机率最大。

第四，该趋势发展下去，全世界电子相关产品会持续面临成本上涨的挑战。 原本全球化运作的世界，现在分裂成两个系统运作，自然会带来成本上升。

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中芯国际在最新一季度的法说会中指出，在急单挹注下，今年2月以来12吋的平均产能都是满载，但8吋晶圆市况还在低谷，可能要到2025年中之后 才会恢复健康水平。
 



中芯国际CO-CEO赵海军指出，原本对景气看法是Double U，第三季还会往下走形成一个凹洞区，但因为12吋厂有急单填满，下半年看法审慎乐观，争取下 半年优于上半年。 整体而言，他认为整个产业在剔除第一、二名台积电和三星后，今年约成长8%，中芯国际的成长可优于该平均值。
 



中芯国际今年宣布高达75亿美元的资本支出，以及巨大的摊提折旧，一直是外界关注的焦点。 加上中国大陆本土的成熟制程产能过剩，杀价竞争激烈，中芯国际第一季净利7,180万美元，年减将近70%，第一季毛利率13.7%，预计第二季会进一步降至9~ 11%，主要是产能不断扩大，被迫认列更多的设备折旧。
 



赵海军也表示，Local for local策略是当前全球最时髦的做法，今明两年都是产能建置的高峰年，去年设备采购单都发出去了，深圳、北京、临港12吋厂持续扩建，即使意识 到会共过于求，或许来年会减少投资，但已经发出去的投资现在也无法修正。
 



至于折旧压力，赵海军也指出，持续扩充12吋晶圆产能是为了满足客户需求，新建产能释放过程折旧金额会上升，从亏损到实现经济规模需要时间，这是行业规律。
 



中芯国际强调，28nm从2014年开始量产PolySion，2016年开始量产HKMG，28nm PolySion量产超过10年，HKMG量产也超过十多年了。 公司表示，28nm是平面制程，性价比高，从民用、公用、汽车、消费性电子等，客户需求都非常旺盛，长期来看供不应求。 因此，当前面对如此巨大的景气压力，还是要咬着牙扩充28nm产能。
 



中芯国际也释出三个需求面的好消息：
 



第一，旧产品的库存消化差不多了，新产品也开始有备货需求，像是低功耗元件、蓝芽、mcu原本已经很久都不拿货了，现在都开始拿货加单，整个行业需求 上来了，存量卖得多，库存自然会下降。
 



之前才有研究报告指出，某一种类型的mcu库存能继续卖7年，因为当时市场需求是完全干涸，但现在消费市场的需求明显已经逐渐回来，市况好很多。
 



第二，今年是体育年，有美洲杯、欧洲杯、亚洲杯、奥运会，带动机顶盒、电视等消费性产品的销售量增加。
 



第三，中国智慧型手机厂商今年都在扩大市占率，每家都在储备库存，自然带动拉货。
 



在价格方面，中芯国际认为第二季出货量会持续增加，但平均售价会因为产品组合而下降，呈现量升价跌。
 



赵海军指出，随着本土产能不断开出，行业竞争会越来越激烈。 自从2月以来，中芯国际的12吋平均产能都是满载，但战略客户仍在市场上仍是常遇到更低的价格，尤其是智慧型手机，常常几千万订单就没了，为了 不让客户掉市占率，这类标准型产品会和客户站在同一战线，直接参与竞争。
 



展望下半年，预计12吋厂平均产能满载会持续一段时间，8吋厂预计要2025年中之后才会恢复健康，但8吋产品对价格较不敏感，再降价空间也不大。
 



至于上半年的12吋急单挹注，是否会透支下半年的需求？ 中芯国际表示，对于下半年态度持续谨慎观察，还看不太清楚，公司目标是成长超越同业步伐（剔除台积电和三星）。
 



中芯国际2024年第一季营收为17.50亿美元，季增4.3%，年增19.7%，毛利率为13.7%，较上季毛利率16.4%和去年同期毛利率20.8%减少，第一季 净利7,180万美元，年减68.9%，出货量179万片（约当8吋晶圆），季增7%，产能利用率为80.8%。
 



营收比重方面，中国、美国、欧亚分别占82%、15％、3％。 手机31%、电脑/平板18%、消费31%、互联13%、汽车7%。
 



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群联5月10日举行法说，执行长潘健成指出，第二季是电子产业传统淡季，很多手机厂和PC厂都已经吃了很多库存，暂时不饿，但遇上市场处于传统淡季需求很 弱，中国记忆体模组厂受不了开始低价抛售手上的NAND Flash，但群联不打算跟进。
 



他指出公司在汽车、企业级SSD、PC OEM等更有附加价值的领域都有斩获，不会跟进中国记忆体模组厂低价抛售NAND Flash库存换现金，到了2026年，耕耘许久的高 毛利企业级产品线，会是群联电子最大的营收来源！
 



截至第一季底，群联合并存货金额为新台币301.58亿元，较2023年底244亿元攀升。 今年记忆体产业走出谷底，加上有AI手机、AI PC题材，群联手握充足库存，迎接记忆体产业黄金时刻。 潘健成指出，现在库存很够用，但如果上游原厂需要帮忙，会考虑买一点。
 



群联指出，NAND原厂渡过亏损的2023年，2024年第一季开始已转亏为盈，此时的NAND Flash价格走势稳定有助于产业供需更为健康，如果价格在短期内急增， 等同让终端需求再度缩手，或是缩减NAND搭载的容量。 他更直言，NAND价格若在急涨，会出现泡沫化 (Bubble)。
 



在汽车领域，群联的NAND Flash控制晶片渗透率不错，但模组系统进入该市场需要时间，此次法说会释出的好消息是模组系统已经拿下多个design-win案子，会 持续在2025和2026年发酵。
 



在手机方面，群联和高通、联发科都有合作案子在走，很多都是针对中国本土智能手机的开案上。 系统厂方面，第三季开始是传统旺季，今年又有AI PC的全新换机题材，都陆续会有备货需求。
 



在企业SSD方面，2023年第一季企业SSD模组占营收3%，到了2024年第一季占比提升至5%，公司预计企业SSD未来占比会快速攀升。
 



群联也指出，2024 年第一季的营收创历史同期次高，主要是长期耕耘的Embedded ODM、伺服器应用等Design-in市场 有显著斩获。 再者，若不考虑库存备抵回转以及库藏股转让员工费用等影响，1Q24 与4Q23的原始毛利率其实是相近的，这也反应群联在Design-in的布局上，有助公司整体的长期 获利稳定度。
 



针对营运，潘健成进一步说明，NAND 原厂在短期内推升市场价格，的确对消费型的NAND 储存需求有影响，然群联广泛布局NAND 储存应用包含工控系统、电竞主机、车载应用、企业级 SSD，以及近期扩大推广的独家专利AI 方案“aiDAPTIV+”等各种Design-in持续如火如荼进行中，这些策略都有效提升群联在各种“非消费型”应用的市占率及贡献度提升，近一步 贡献获利。
 



群联2024年第一季合并营收新台币 165.26 亿元，较前季增加4.9%，较去年同期增加64%，毛利率33.9%，净利24.2亿元，每股盈余12.02元。

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IP大厂力旺今日召开法人说明会，谈到今年全面改选董事，且新董事名单有着浓厚的“台积电色彩”，包括台积电董事曾繁城列入董事候选人，阳明交大产学创新研究学院院长孙元成（ 前台积电技术长）、西门子EDA全球资深副总裁暨亚太区总裁彭启煌则是列独立董事。
 



对此布局，力旺指出，主要是金管会2024年上路的新制，避免独立董事任期过久而沦为橡皮图章，要求上市柜公司半数以上独董连续任期不能超过三届9年，且公司也 会跟着晶圆代工厂进入先进制程，这几位董事人选对力旺无论是在技术、经营策略、伙伴关系上，都可以有加分效果。
 



由于台积电释出全球需求端只有AI强劲，其他应用都疲弱的讯号，外界好奇这对力旺2024年营运是否会有影响？
 



力旺指出，目前看到客户手上的库存消化告一段落，预计成熟制程会恢复往年的量产需求，且过去三年公司已经累计1000多个设计定案tape-out，会带动权利金成长。 另一个优势当然是力旺的IP组合越来越广，包括MTP、EE、Flash、 RRAM、PUF、SecureOTP、PUFrt (Root of Trust)、PUFcc (Crypto Co-processor)都会持续成长。
 



中国晶圆厂不断扩充成熟制程产能且杀价竞争的现象，一直让业界十分焦虑。 力旺的看法是，其实不用太担心，因为大陆的晶圆代工领导厂没有跟进，关键原因是，降价不会保证市占率的提升，多数的半导体客户不会只考虑价格，还有 time-to-market、技术、服务等都是重点。
 



另外，大型美国晶片公司的订单逐渐移出中国，加上美国、欧洲、日本都有半导体在地制造的政策，这些变因都会限制中国半导体制造产能扩张的速度。
 



近年来中国的国产化风潮，包括各种应用的IC设计不乏中国本土的供应商，还有本地化晶圆厂生产等趋势，未来会不会客户也转用国产IP？
 



力旺分析，非挥发性记忆体IP的技术门槛高，投入周期十分长，对应产生出来的营收和代工厂相比，非常非常小，因此这类IP不会是中国半导体自主化的首要重点 。 中国当地也有国产IP公司，但客户都很清楚，要跟有“量”的供应商合作，才能对专利有保护、品质获得保障，IP绝对不能选便宜的。 当地IP公司的产品出问题后，客户又转回来使用力旺IP的状况，是屡见不鲜。
 



面板驱动IC是力旺目前重要的客户应用，而近期驱动IC杀价战严重的问题，也成为关注焦点。
 



力旺指出，很多DDIC客户都往先进制程移动，OLED IC的比重提升，加上驱动IC其实有很多新应用市场，像是折叠机里面使用的OLED DDIC用量增加，使用到28nm的OLED DDIC。
 



另外，电子纸朝大尺寸迈进，以及电子标签的广泛使用，其需要的DDIC数量也都是倍增。 还有电子标签客户元本是用力旺的OTP量产，新产品彩色标签需要四色的电子标签驱动IC，用到MTP技术，这些新应用不但有助于驱动IC产业走出红海，更是力旺 的机会。
 



整体而言，在授权金和权利金的贡献上，力旺提出的展望是：晶圆代工厂和设计公司客户的需求强劲，授权金贡献会持续成长。 另外，权利金会受惠过去三年超过1500个新产品的设计定案逐渐步入量产，会有新的权利金来源开始产生，这些新应用涵盖：6nm的DTV、7nm的自动驾驶辅助系统ADAS 、12nm的SSD、12nm的影像感测器ISP、22/28nm的网通/交换器、22/28nm的smart image processor。








力旺董事长徐清祥特别解释了安全机制协议标准Caliptra，以及该技术带给力旺的巨大机会。
 



徐清祥表示，Caliptra是由Nvidia、AMD、Google、微软等科技巨头主导成立的标准。 关于Caliptra的诞生，是考量到边缘运算的兴起都是透过互联网连接，云端和边缘设备之间频繁沟通过程中，要让data在传输时有更高的机密性这件事，变得至关重要 。
 



尤其，资料中心的机密运算对安全的需求大幅提升，更要求每个SoC等级的晶片都须证明其可信度，这就是科技巨头一同定义并推出了Caliptra的初衷，这是一种可重复使用的 安全IP模组(硬体信任根)，可以整合到在未来的SoC中，包括DPU、CPU、GPU和NIC等。 Caliptra1.0也已在2024年3月正式推出。
 



力旺的IP与Caliptra标准有什么关系？ 徐清祥进一步解释，Caliptra Silicon RoT 需要几个关键元件，包括Secure OTP (One-time Programmable Memory)、PUF (Physically Unclonable Function)、硬体乱码生成器TRNG (True Random Number Generator)和Crypto Engine，这些元素 为晶片建立了硬体信任根，确保作业系统、软体、资料的安全。
 



力旺一直是OTP IP的主要提供者，也开发出可靠的PUF技术，透过整合OTP、PUF和四个环境杂讯，创造了最快的 硬体乱码生成器TRNG 。 为了满足 Caliptra 高标准 Root of Trust 要求，整合 Caliptra Silicon RoT的晶片越来越多，对 力旺的需求也会一直增加。
 



力旺IP透过以下三个功能来满足 Caliptra Silicon RoT标准：
 



Unique Chip Identity (藉由晶片指纹)：功能类似于身份证，每个晶片都拥有独特的身份识别码。 力旺以专利技术像是PUF和TRNG生成不重复的乱数，并直接储存在 Anti-Fuse OTP 中，而Unique Chip Identity 成为赋予晶片身份证明的基石。
 



Secure Attestation (藉由晶片身份证书)：每个晶片都必须经过安全认证，这是验证其完整性和真实性的过程，透过认证，晶片可以获得资料中心的授权，并在资料中心系统中注册成为 可信任设备，以确保安全连接。 想像成公司为新员工发放工作证，赋予员工身份，使其能够自由进出公司及使用公司资源。 因此，只要晶片被证明过身份，晶片之间沟通将以密文方式进行。 TRNG 及 Crypto Engine 在此将扮演重要角色，从而确保网路安全。
 



Secure Boot (确保启动时作业系统是可信的)：如果被篡改的作业系统要执行非安全启动，后续应用程式会有遭恶意窃听、隐私资讯外泄等风险。 因此，在安全启动过程中，执行安全的硬体预先被启动，然后作业系统映像档程式码则在启动过程中透过硬体进行身份验证。 为了确保作业系统映像档的完整性，必须对来源原码进行保护和验证，这需要由硬体乱码生成器TRNG产生金钥并由加密引擎进行加密/解密。
 



徐清祥强调，力旺拥有 Caliptra Silicon RoT 所需的完整 IP 布局，随着辉达Nvidia、AMD、Google、 微软将在资料中心相关晶片采用 Caliptra Silicon RoT，未来会推升力旺IP的使 用数。

钰创董事长卢超群出席力积电铜锣12吋厂启用仪式时对《SEMICONVoice》表示，AI广泛使用的高频宽记忆体HBM要堆叠8层、16层，售价高达300美元～600美元，这在 半导体产业根本是天价，而且还一堆客户都抢着要买。
 



卢超群进一步分析，现在HBM记忆体还在技术与良率的摸索期，良率瓶颈要完全打开至少要花上2～3年时间，因此HBM对传统DRAM产能的排挤才刚开始而已。
 



重点是，现在三大DRAM厂都在抢着争夺HBM巨大商机，每一家记忆体厂都想当HBM老大，根本没有力气去对付传统DRAM，更是倾公司所有资源和最优秀的工程师都去做 HBM，预期下半年利基型DRAM产业会供给量不足，价格一定会水涨船高。
 



DRAM业界人士更对《SEMICONVoice》透露，投产HBM记忆体不单有耗损wafer面积的问题，且HBM投产制程周期是DDR5的三倍之多，良率又还没拉上来，现在HBM商机大爆发，但 DRAM厂的生产和产能准备没跟上脚步。
 



尤其，过去两年记忆体厂财报出现巨额亏损，因此都没有积极扩增新产能，只是把原本减产的部分逐渐恢复正常生产，但这对于未来AI时代所需要用到的DRAM和NAND Flash产能根本 不够，现在又有HBM技术瓶颈，未来DRAM产能会十分紧俏。
 



或许你觉得现在终端需求还不好，但半导体产业链已经渡过漫长的库存消化，等到PC、手机、伺服器的需求都恢复正常后，客户和通路商开始会回补库存，DRAM吃紧的问题 会更加严重。
 



市调机构TrendForce也发布报告指出，在403地震前，原先预估第二季DRAM合约价会上涨约3～8%，而最新统计出来的数据是上修涨幅大涨至13～18%。
 



针对HBM排挤DRAM产能的程度，三星的HBM3e产品是采用1alpha制程节点，预计到2024年底将占用1alpha制程产能约60%，会排挤到DDR5供给量。 尤其，第三季HBM3e进入生产放量的时间点，买方已经同意提前到第二季备货，以防第三季HBM供应会出现短缺。
 



TrendForce也统计，HBM位元需求可望高度成长，2024年将成长近200%，2025年再进一步倍增。 2024年HBM产值占DRAM比重将超过20%，2025年将有机会突破30%。
 



身为HBM龙头的SK海力士也指出，DRAM产业需求确实之前较为疲弱，但下半年需求逐渐复苏，加上HBM会吃掉更多的产能，随着越来越多DRAM产能挪移去生产HBM， 传统DRAM供应量势必会减少，且慢慢地，供应链现有的库存都会消化殆尽，看好DRAM后势价格走势。
 



SK海力士也宣布，2024年HBM产能全部售罄，2025年产能基本上也卖完，为了巩固SK海力士在HBM领域的领先地位，计画5月会推出12层堆叠的HBM3E样品，规划第 三季进入量产。
 



更早前，美光也宣布2024年HBM产能全部售罄，2025年产能多数产能也都被预订。 HBM全球狂热的程度，算是记忆体史上罕见！
 



SK海力士为了巩固HBM技术的领先地位，也宣布最新世代堆叠16层的HBM3E技术研发进度，目标是2026年进入量产。 据了解，相较12层的HBM，SK海力士的16层HBM以相同的高度堆叠更多DRAM晶粒（die），更关键的是能同步减少DRAM厚度，并防止出现晶圆翘曲（warpage ），SK海力士为克服这些技术难题，从HBM2E开始就采用领先的MR-MUF（Mass Reflow Molded Underfill）技术，并且不断进行改良。
 



在HBM大战中，长年龙头的三星居然成为SK海力士的手下败将，日前传出不服输的三星，精挑细选集结了100名顶尖的工程师，组成一支HBM团队，目的就是争取Nvidia的HBM 订单，让良率和品质能通过Nvidia的标准，进而一步步蚕食鲸吞SK海力士手上的订单。
 



三星目前的重心是在全球首款36GB 12层堆叠HBM3E，相较堆叠8层的HBM产品，堆叠12层的HBM3E可让AI学习速度提升34%。 三星总裁兼执行长庆桂显Kye Hyun Kyung指出：“第一回合输了，但第二回合是非赢不可。”

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4月最后一天，晶圆代工厂世界先进、记忆体封测厂力成、消费性IC设计盛群集中在同一天举行法说。 幸好，这次三家半导体厂同步释出第二季手机、消费性电子触底后开始回暖的讯息，终于没有把法说会开成法会！
 





其中，世界先进释出的前景比市场预期的乐观很多，提出第二季出货强劲成长17~19%，产能利用率可比第一季53%提升10个百分点至65%左右，惟毛利率微 幅下滑至25～27%。 再者，世界先进第二季会有LTA长期合约的贡献。
 





值得注意的是，世界先进在法说会中释出扩充晶圆五厂4000片的讯息，这4000片的扩增产能其实被讨论很久了，但碍于市场需求不振，公司一直延后扩充脚步 。
 





世界先进晶圆五厂增加的产能主要是电源管理IC，来自于“从中国转出的订单”。 据了解，高通把电源管理晶片PMIC从中芯国际转单的动作加快，其他像是芯源系统MPS过去也高度依赖中国大陆的晶圆厂做代工如中芯国际、华虹等，受到过去几 年地缘政治影响，也都陆续转出订单，因此世界先进决定扩产支援。
 





同样也是地缘政治影响，中国大陆本土晶圆代工厂大力扩产成熟制程产能，价格战猛烈，在世界先进法说会中，分析师也关切是否会被这些过剩的成熟制程产能或是价格战影响？
 





世界先进明确表示，不会加入价格战，中国晶圆厂的杀价竞争反映的是过度扩产成熟制程后的产能过剩，以及整体经济需求疲弱，公司还是会聚焦在提供服务和有竞争力的技术 ，在需求疲软时，在价格上会与客户共体时艰，等到库存健康化后再恢复，但对于杀价接单是没有兴趣的。
 





另外，世界先进也提到，因为地缘政治风险，导致许多外商订单从中国的晶圆厂转出去，这些都是世界先进的机会，这样的趋势其实2023年就很明显，未来转单带动的效益 会更大，尤其是电源管理晶片PMIC。
 





另一点关注点是，2024年世界先进股东会中将改选9名董事，但母公司兼大股东台积电并未派任法人代表参选，先前台积电的法人代表方略和曾繁城，都改以自然人的身份 参选。 台积电表示，将行使投票权支持适当的董事候选人。
 





台积电目前持股比例达28.32％，为最大股东，其次则是国发基金16.72％。 台积电表示，因为与世界先进并非从属关系，为强化经营者责任与公司治理，因此不再派任法人代表董事进入世界先进的董事会，台积电也没有无出脱世界先进持股的计划。
 





世界先进第一季营收96.33亿元，出货量较上季减少4.1%，ASP持平，毛利率24.2%，晶圆出货量46.9万片。 第一季营收中，电源管理晶片65%、大尺寸LCD面板驱动晶片19%、小尺寸面板驱动晶片11%，其他5%。 展望第二季，预计晶圆出货量将增加17~19%，ASP较上季减少2～4%，毛利率25～27%。
 





世界先进表示，第二季的订单能见度转佳，景气触底后逐步回暖，消费性电子上半年库存可望回到正常健康水位，但工业和车用电子的库存调整要到第二、三季度 才会正常化，预计下半年景气状态是温和成长。
 





世界先进2024年整体产能微幅增加至338.7万片，资本支出为新台币38亿元，其中60%用于晶圆五厂的扩充，其他为例行性支出。
 





有关403地震对世界先进的影响，公司指出，80%厂区设备在一天内复原，其他多个厂区多在4天内恢复生产，而晶圆二厂则是在一周后恢复生产，评估对线上晶 圆产能报废导致的影响占第二季约1.5个百分点，2%晶圆延迟到第三季出货。
 





世界先进主要是8吋晶圆厂，多年来一直规划跨入12吋晶圆厂建置，只闻楼梯响，未真正定案，但只差临门一脚。
 





业界一直传出世界先进的12吋厂落脚新加坡，台积电也会给予必要的技术和建厂资源支持，有机会在年内动工。 不过，这次世界先进的法说会中并未如外界预期宣布这个好消息。
 





世界先进指出，要盖12吋厂考虑的面向非常多，包括技术、客户、财务等等，必须要有十足把握才能出手。 同时，公司也表示可以朝与客户JV方向走。 至于落脚新加坡，公司指出，台湾和新加坡都是非常适合投资半导体的地区，新加坡政府也相当积极拉拢有能力建12吋厂的厂商，但其他的不便多谈。

三星从2年前就规划逐步要退出DDR3供应，市场传出，原本计划2024年底要针对DDR3做EOL（end-of-life）现在提前至2024年中停止生产DDR3，而SK海力士在DDR3 晶片上的供应原本就不多，预计未来会更淡出DDR3供应之列。 业界预期，DDR3提前退役，可望加速DDR3库存消化，准备启动另一番涨势。
 



记忆体今年市况不错，主要是2023年上游原厂亏损严重，开始从源头控盘拉抬价格，这招式是千年不变，万年受用！ NAND Flash和DRAM产业也在这一轮的景气循环中，正大光明地走出谷底，等待终端需求大力添加柴火。
 



这一波DRAM产业有两个题材，一是AI需要的高频宽记忆体HBM对于DDR5的排挤效应，且HBM真的吃掉很多记忆体的Wafer产能; 第二是韩系国际记忆体大厂年底前 要陆续退出DDR3的生产之列。
 



两大韩厂三星、SK海力士要退出DDR3生产已经规划许久，日前传出最大供应商三星原本是计划年底前停止生产，基于产能配置，提前到2024年中停止生产DDR3，SK海力士原本的DDR3 供应数量就很少，逐步淡出符合预期规划，这对于台湾DRAM相关厂商是好消息。
 



HBM在AI时代成为要角，记忆体产业主轴是“排挤”。

首先，HBM是SK海力士的翻身之作，未来在技术、产能、资源分配上，无论是SK海力士、三星或美光，绝对是全力抢占HBM市占率，AI才是未来主角。 因此，这些大厂不可能会有太多产能给传统的DRAM，HBM对DDR5产能的排挤，恐怕刚开始而已。 除非，你觉得AI是泡沫，是昙花一现，你觉得ChatGPT很快会消失。
 



业界分析，HBM生产周期包含TSV封装，比DDR5的生产周期至少多出1.5个月，HBM3E的Wafer面积更是DDR5的三倍大。 假如投片16Gb DDR5颗粒，每片Wafer的Gross die是1800颗，同样的Wafer拿去生产HBM3E，搞不好只剩下600颗。
 



DRAM厂为了解决HBM瓶颈且拉升良率，只会有越来越多的DRAM产能转移到HBM身上。 有消息指出，HBM平均良率约在65%左右，但业界认为实际的良率其实更低。 而且，HBM一旦有一个晶片有缺陷，整个封装都不能用。 另外，HBM的生命周期又比传统DRAM短。
 



美光执行长Sanjay Mehrotra 曾表示，HBM因为包含了逻辑控制晶片，加上更复杂的封装堆叠，且生产HBM过程会很大幅度影响良率，因此生产HBM3和HBM3E会吃掉很大部分的DRAM Wafer 供应。
 



辉达Nvidia执行长黄仁勋也指出，HBM是技术奇迹，它的技术非常复杂，但能提高AI效能，附加价值非常高，他非常重视与SK 海力士、三星在HBM记忆体上的合作关系。
 



全球市场中，HBM市占率最高的是SK海力士，其次是三星，两者合计应该有占90%市场，美光排名第三。
 



目前，SK 海力士的 HBM3E已经量产，辉达Nvidia绝对是优先出货的重要客户。
 



三星的8层HBM3E在量产时程上微幅落后，外传，三星HBM3的良率只有10~20%，但SK海力士的HBM3良率却已来到60~70%。 幸好，三星最终仍是拿下辉达H200订单。 三星也强调自己将会推出业界首款12层HBM3E，是目前容量最高HBM产品，预计会很快量产。

台积电日前举行的北美技术论坛中，正式揭示六大创新技术问世。 其中，最大亮点应该是台积电在2奈米制程技术之后，最先宣布的TSMC A16技术问世。

手机晶片设计公司紫光展锐过去几年历经了十分频繁人事异动后，近一年来在半导体业界可谓是悄无声息。 展锐曾经是中国老牌的IC设计公司之一，备受注目的中国半导体“国家队”，紫光集团“准IPO”企业，更是中国自研手机处理器（除了华为海思）的第一把 交椅。
 



就在紫光展锐这样静悄悄好一阵子后，近日传出来的消息却是裁员，业界传出展锐针对射频PA团队进行人员精简。 事实上，中国射频晶片领域特别“卷”，洗牌赛与整合赛是必然的方向。
 



更早之前，有中国射频厂商指出，射频晶片已经进入无序竞争的地步，从射频开关、手机PA、Cat.1 PA、WiFi6FEM、滤波器等，整个产业过度内卷与竞争的结果，是“ 天天都有最低价”，未来情况会更严峻。
 



射频晶片曾经备受中国资本的青睐，这要追溯到3～4年前，全球疫情蔓延背景下的极度“缺芯”，以及中国晶片国产化的大时代背景下，中国射频晶片公司大量成立。 因为射频晶片门槛不算高，应用领域广泛，且产品周期短，射频各个细分领域都吸引大量资本进入，希望能从国际巨头占据的大份额市场中，取一瓢饮。
 



不过，疫情过后手机市场供应链库存一堆、没有换机的新吸引力，加上供给过剩加剧，中国射频晶片在高端市场无法挑战Skyworks、Qorvo、高通等国际巨头，在中低价市场互相竞争 的结果，导致中国射频晶片早已经走上洗牌战之路。
 



近年来，低调的展锐也积极布局非洲、印度、泰国等新兴市场。 展锐曾对外指出，在新兴市场积极与诺基亚、传音等跨国品牌合作，尤其在非洲，展锐更是携手当地运营商和合作伙伴，助力非洲迈向数字化经济时代。 此外在印度、泰国等新兴领域，同样也是展锐扩展市占率的重点。

 
英特尔宣布，美国俄勒冈州希尔斯伯勒的研发基地中，已完成业界首台ASML供应的商用高数值孔径极紫外光微影设备（High NA EUV）组装，型号为TWINSCAN EXE:5000。
 



该机台正在进行多项校准步骤，预计2027年启用，率先用于Intel 14A制程，协助英特尔推展未来制程蓝图。 此设备将投影印刷成像到晶圆的光学设计进行改造，明显提升下世代处理器的图像解析度和尺寸缩放。
 



英特尔计划于2025年Intel 18A的产品验证，以及未来Intel 14A的量产阶段，都会采用0.33和0.55数值孔径的EUV微影设备。
 



《高数值孔径极紫外光微影设备High NA EUV小科普》
 



高数值孔径极紫外光High NA EUV技术使用人工的13.5奈米光波长。 此一光波长是利用强大的雷射光束，照射加热至将近摄氏22万度的锡滴上而产生，此温度高出太阳表面平均温度40倍。 光束从含电路图案模板的光罩中反射，再穿过高精度镜组打造的先进光学系统。
 



NA（Numerical Aperture）数值孔径为衡量光收集和聚焦能力的重要指标，用在光学系统上，决定了光刻的实际图案解析度和缩小电晶体尺寸，以及能够做到的制程节点。 然而，要进一步制造尺寸更小的电晶体，仍需要全新的电晶体结构和相关制程步骤。
 



ASML目前的EUV曝光机NA只有0.33，对应的解析度为13nm，可以生产金属间距在38～33nm之间的晶片。 往下发展到金属间距缩小到30nm以下，也就是对应的制程节点在5nm以下，解析度就不够了。 或者是需要用多重曝光（pattern shaping）技术来辅助，会导致成本增加且影响良率。
 



ASML新一代的高数值孔径EUV设备EXE:5000可以做到0.55 NA，解析度缩小到8nm。 相较于0.33数值孔径的EUV微影设备，高数值孔径EUV微影设备（或0.55数值孔径的EUV微影设备）可为类似的晶片尺寸提供更高的成像对比度，可减少每次曝光所需 的进光量，并缩短每层列印时间，从而提高晶圆厂的产能。
 



采用第一台高数值孔径EUV的英特尔指出，当High NA EUV微影设备与英特尔晶圆代工服务的其他领先制程技术相结合时，列印尺寸预计将比现有EUV机台缩小1.7倍。 由于2D尺寸缩小，密度将提高2.9倍，英特尔将持续引领半导体产业发展更小、更密集的图案化（pattterning）技术，进一步延伸摩尔定律。
 



《台积电为什么不急着导入高数值孔径EUV？ 》
 



过去半导体进入EUV时代，全球也是三星第一个先使用EUV设备的Foundry厂，台积电第一代7nm制程仍是用多重曝光，第二代才改用EUV技术。
 



电晶体架构从FinFET（鳍式场效电晶体）转换到GAA（环绕闸极场效电晶体）架构，竞争对手三星、英特尔都在3nm制程抢着采用GAA电晶体，台积电直到2nm制程才会改采 GAA电晶体架构，预计2025年量产。



从EUV技术导入、采用GAA电晶体，一直到使用高数值孔径EUV技术等历程，可以看出台积电的作风偏向谨慎保守，不会冲第一个采用新技术。
 



台积电曾回应何时使用高数值孔径EUV设备时表示，技术本身的价值只有在为客户服务时，方能彰显出来。 每当新的工具或设备，台积电都会先研究，看看工具的成熟度和成本，再进一步评估如何去实现。







图说：ASML的TWINSCAN EXE:5000系统的总重量超过150吨，将先分装于250多个货箱中，并集中装入43个货柜，货柜由多架货机运送至西雅图，再利用20辆卡车 运输到俄勒冈州。 一台售价将近4亿美元！ ！ ！
 

AI成功拯救全世界！
 



台积电今日法说会中指出，手机复苏缓慢，PC产业虽落底但缓慢成长，传统伺服器需求不好，最惨的是汽车，供应链库存一堆，原本预期汽车需求能转佳，但却 事与愿违（难怪特斯拉这么惨），只有AI需求仍是非常非常强劲。
 



因此，台积电宣布双双下修全球半导体成长率和全球晶圆代工成长率，但自己今年的成长率不变。 显见台积电是AI需求强劲的最大受惠者，仍是一个人的武林！







台积电今日法说会释出的讯息是好坏参半！ 怎么说？ 好消息是谈到AI需求，总裁魏哲家用 “非常、非常强劲” 来形容AI需求的现况。
 



台积电强调AI相关产品的定义，是伺服器AI 处理器包括执行训练（training）和推论（inference）功能的GPU、AI加速器和CPU，并不包含网路、边缘或终端装置 AI。
 



魏哲家更指出，2024年伺服器AI的营收贡献将较2023年成长超过100%，占2024年总营收3～4％。 现在几乎全球所有AI公司都正在与台积电合作，预计未来五年，伺服器AI处理器将以 50%的年复合成长率前进，预计到2028年，AI将占台积电营收超过20%。
 



坏消息则是，除了AI之外，手机、PC、物联网、传统伺服器、汽车等表现都不出色。 PC产业落底正缓步回升、手机需求回升缓慢、传统伺服器不好，汽车更是不如预期，相较三个月前法说时，汽车产业状况更糟，完全没复苏，今年全年汽车 电子预计会是负成长。
 



台积电指出，2024 年因为总体经济和地缘政治的不确定性持续存在，加上还在消化库存，宣布调降2024年半导体市场(不含记忆体)的全年展望，原本预期全年半导体市场成长 超过10%，现在调降至约10%左右，晶圆代工市场原本预计成长约20%，现在调降至15~19%。
 



针对台积电本身，公司仍预期2024年营收是逐季成长，以美元算，全年营收成长幅度维持21~24%不变。 同时，台积电也指出2024年资本支出不变，维持280亿～320亿美元，约70～80%将用于先进制程技术，10～20%将用于特殊制程技术，其他的10%用于先进 封装、测试、光罩等。







针对制程技术和应用的展望，有以下几个更新：
 



N2制程：预期2奈米技术在最开始发展的头两年，产品设计定案（tape outs）数量将高于3奈米和5奈米，几乎都是AI相关客户。 台积电的2奈米将采用奈米片(Nanosheet)电晶体结构，在密度和能源效率上都会是业界最先进的半导体技术。
 



目前台积电的2奈米制程技术研发顺利，装置效能和良率皆按照计画甚或优于预期。 2奈米制程预计在2025年进入量产，其量产曲线预计与3nm制程相似。
 



N3制程：2024年营收贡献会是2023年的三倍以上。 也因为3nm制程需求非常强劲，会转换部分5nm制程的设备到3nm制程。
 

N4和N5制程：目前多数AI加速器都是在4奈米和5奈米制程，部分客户开始在合作下一个制程世代，主要是基于耗电因素。
 

N7制程：目前7奈米制程的产能利用率仍是偏低，但台积电看好7nm制程未来2～3年的需求可望再有一波拉升，重演之前28奈米制程上，从谷底再上演共 不应求的戏码。
 

CoWoS产能：2024年产能扩充超过两倍，但仍是无法满足AI客户需求。


全球生产据点的现况更新：
 



美国亚利桑那州厂：计画设立三座晶圆厂。 第一座晶圆厂已于4月进入采用4nm制程技术的工程晶圆生产(engineering wafer production)，按计画在2025年上半年开始量产。
 



第二座晶圆厂则是继升级为采用2nm制程技术，支援当前最为强劲的AI需求。 第二座晶圆厂目前已经完成上梁，预计2028年开始生产。
 



台积电也宣布亚利桑那州建造第三座晶圆厂的计画，预计会采用2奈米或更先进的制程技术。
 



此外，在宣布第三座厂兴建同时，台积电也宣布了三家大客户的支持与声援，分别为苹果、Nvidia、AMD。 看来是台积电美国厂的铁三角客户。
 



另一个与美国厂相关且值得关注的讯息是，艾克尔（Amkor）在2023年底宣布在美国亚利桑那州投资20亿美元建立美国最大先进封装测试厂，就近服务台积电和苹果（Apple）客户。 台积电在今日法说会回应，很高兴看到艾克尔要就近盖封测厂，一起合作支持客户。
 



日本熊本厂：第一座特殊制程技术晶圆厂已将采用12/16奈米和22/28奈米制程技术，2024年第四季进入量产。
 



日本第二座特殊制程技术晶圆厂预计将采用40奈米、12/16奈米和6/7奈米制程技术，以支持消费性、汽车、工业和HPC相关应用的策略性客户。 第二座厂计画于2024年下半年开始兴建，2027年底开始生产。
 



德国厂：预计在德国德勒斯登建立一座以汽车和工业应用为主的特殊制程晶圆厂，并计画于2024年第四季开始兴建。
 



台积电也再次强调，因为海外的生产成本增加，为了反映境外厂区的不同价值，都会反映在公司的定价策略上。 同样买一个汉堡＋薯条＋可乐套餐，价格在台湾、美国、日本、德国都不一样！ 这样也是合理啦！







针对403地震对营运的影响，台积电指出，地震是芮氏规模7.2，晶圆厂是5，一如当时说明，晶圆厂整体设备的复原率在地震发生后10小时内即复原超过70%， 并在地震发生后的第三日结束前完全复原，预计对第二季毛利率影响0.5个百分点，主要是因为晶圆报废和材料损耗相关的损失。
 



根据台积电公布的2024 年第一季财务报告，合并营收约新台币5926.4亿元，较上季减少5.3%，税后纯益约新台币2254.9亿元，每股盈余为8.7元(折合美国存托 凭证每单位为1.38 美元)，较前一季减少5.5%。
 



以美元计算，台积电2024 年第一季营收188.7亿元，较前一季减少了3.8%。 再者，台积电2024年首季毛利率为 53.1%，毛利率微幅上涨，营业利益率为 42.0%，税后纯益率则为 38.0%。
 



2024 年第一季，3奈米制程出货占整体营收9%、5奈米制程出货占37%，7奈米占19%。 总体而言，先进制程（包含7奈米及更先进制程）营收占比高达65%。
 



台积电提出2024年第二季营运展望，营收将介于196亿～204亿元，汇率假设基础美元兑新台币为32.3，等同预测第二季营收将季增6%左右，预计毛利率介 于51～53%，营业利益率介于40～42%。 4月地震估计影响毛利率约0.5个百分点，合计地震、通膨、电价对台积电第二季毛利率影响约0.7～0.8个百分点。
 



台积公布2024 年第一季财务报告，合并营收约新台币5926.4亿元，较上季减少5.3%，税后纯益约新台币2254.9亿元，每股盈余为8.7元(折合美国存托凭证 每单位为1.38 美元)，较前一季减少5.5%。
 



以美元计算，台积电2024 年第一季营收188.7亿元，较前一季减少了3.8%。 再者，台积电2024年首季毛利率为 53.1%，毛利率微幅上涨，营业利益率为 42.0%，税后纯益率则为 38.0%。
 



2024 年第一季，3奈米制程出货占整体营收9%、5奈米制程出货占37%，7奈米占19%。 总体而言，先进制程（包含7奈米及更先进制程）营收占比高达65%。
 



台积电提出2024年第二季营运展望，营收将介于196亿～204亿元，汇率假设基础美元兑新台币为32.3，等同预测第二季营收将季增6%左右，预计毛利率介 于51～53%，营业利益率介于40～42%。 4月地震估计影响毛利率约0.5个百分点，合计地震、通膨、电价对台积电第二季毛利率影响约0.7～0.8个百分点。

 

 

全球设备龙头ASML在2024年第一季营收中，净系统营收贡献高达49%，逼近整体一半，且更较2023年第四季占比39%上升。 显示，在美国禁令步步逼近下，ASML快马加鞭将设备出货给中国。
 





整体来看，ASML交出的第一财财报是低于预期的。 第一季36 亿欧元的订单金额，相较上季91.9亿欧元的历史最高纪录大幅减少，且EUV 订单金额为 6.56 亿欧元也大幅减少。
 





根据ASML公布，第一季营收 53 亿欧元，其中包括 13 亿欧元的安装基础业务，平均毛利率为 51%，净利润为 12 亿欧元。 在手订单金额为 36 亿欧元，其中 EUV 订单金额为 6.56 亿欧元。
 





ASML也预计第二季营收为 57 亿～62 亿欧元。 其中包括 14 亿欧元的安装基础业务，预计毛利率在 50%～51% 之间。
 





ASML强调，公司看待2024 年的节奏并没有改变，延续之前的基调，会将2024年视为一个过渡年，预期2024 年的收入与2023 年相差无几，这意味着2024年下半会比上半场 更强劲。 而2024 年毛利率会略低于 2023 年的毛利率。
 





库存方面，ASML指出，下游库存获得很好的控制，下降到我们认知的正常水平，符合预期。 意即，ASML看好2024 年半导体行业逐渐复苏，为2025年的大成长年做好准备。
 





ASML看好2025年有三个原因：
 





第一，2025 年ASML的EUV设备的最大份额、低数值孔径 EUV工具将是 NXE:3800，带来更好的售价和毛利率。
 





第二，在安装基础业务方面，2025 年将是更加强劲的一年，原因是ASML持续提高 EUV 服务的毛利率，随着市场复苏， 2025 年的升级业务将明显成长。
 





第三，高数值孔径极NA方面，销售量将成长，成本可望降低。








EUV技术方面的最新进展：
 





相较于传统DUV浸入式曝光系统（193nm），EUV 曝光机使用的极紫外光波长（13.5nm）显著降低，晶片厂生产7奈米制程以下的技术时，多图案的DUV步骤可以用单次 曝光EUV 步骤代替。
 





当进入3奈米以下制程，则是使用EUV曝光机，如果要大量推进至2奈米制程，或是更小的尺寸，那就要使用高数值孔径NA曝光机。
 





相较于0.33 数值孔径的EUV曝光机，高数值孔径NA曝光机。
 





将数值孔径提升到 0.55，可进一步提升解析度。 NA越大、解析度越高。
 





ASML第一台第三代EUV曝光机NXE:3800已经交付。 NXE:3800系廾可以用来生产4奈米、5奈米、3奈米和2奈米制程晶片。 其吞吐量相较NXE:3600D，可以从每小时 160 片晶圆增加到每小时 220 片晶圆，生产力提高了 37.5%，NXE:3800设备美台单价1.8亿美元。
 





ASML预期，2024年下半和2025年，NXE:3800 将成为 EUV 销售中越来越重要的一部分，也会为公司带来了更好的平均售价和更好的毛利率。
 





高数值孔径极NA设备方面，提供的电晶体密度实际上是低 NA 工具（标准型EUV）电晶体密度的 3 倍。 ASML的第一个高数值孔径EUV设备位于荷兰 Veldhoven 的 实验室，第二个高数值孔径EUV系统EXE：5200是在英特尔，计划会在14A晶片的生产中使用该工具。
 





高数值孔径极NA系统一台造价3.5亿美元，ASML致力推进高数值孔径极NA设备进入半导体产业，旨在两大目的：一是维持在晶片设备制造领域龙头的地位，二是满足台积电和英特尔 两大半导体客户的需求。 业界则是预估，半导体厂要大量采购并使用高数值孔径EUV设备，预计也要到2030年之后。
 





ASML 下一代高数值孔径极NA设备是EXE：5200系统，可用来生产 2 奈米制程晶片。 EXE:5200 具有更高解析度，可将晶片缩小 1.7 分之一，同时密度增加至 2.9 倍。