半导体
南亚科绕过CoWoS进军类HBM，携手合作的补丁科技是何方神圣？
AI和非AI造成全球科技产业极度悬殊的贫富差距，也反映在记忆体产业上！ 传统DRAM和NAND Flash乏人问津，高频宽记忆体HBM却是洛阳纸贵，原本在该领域脚步一直落后的台系记忆体厂，也决定高调出招！ 南亚科董事会宣布参与DRAM IC设计公司补丁科技的现金增资，以总投资额不超过新台币6.6亿元，现增后取得补丁38%股权。据了解，双方要一起开发类HBM技术。
补丁科技是何方神圣？ 补丁科技原本就是南亚科的子公司，由丁达刚创立。最早期，丁达刚曾在英特尔、贝尔实验室工作，1990年代回台湾后，次微米计画发展DRAM技术时，由美国回来的卢超群、丁达刚、赵瑚、毛叙、陈冠中等人一同实现了自有DRAM技术的量产，之后更是创立了钰创科技，而基于微米计画发展的DRAM自有技术也在1994年成立世界先进，当时世界先进就是做DRAM自有技术，一直到2004年才转型为晶圆代工至今。丁达刚在钰创成立初期担任过IC设计副总，也在南亚科工作过，后来成立补丁科技至今，一直是从事DRAM IC设计领域。
补丁科技研发的高频宽记忆体为HBLL-RAM，立体堆叠记忆体的技术做法和华邦的Cube、力积电/爱普的解决方案类似，都是不需要用到台积电的CoWoS封装技术。在应用市场面上，台积电、SK海力士、三星、美光的HBM＋CoWoS封装是锁定云端资料中心伺服器，而南亚科/补丁、华邦、力积电/爱普的解决方案比较偏向锁定边缘Edge AI领域，诉求是运算高性能AI计算时，能耗非常低。
据了解，南亚科以10nm DRAM制程和补丁科技一起针对客制化高频宽记忆体的合作，是要一起开发第二代的HBLL 2。业界人士分析，南亚科内部一直有开发设计这种客制化类HBM技术的团队，只是一直没有浮上台面，这次公开与补丁科技携手，可能是南亚科内部的类HBM技术开发团队进度还未成熟，同时补丁科技此时也有资金需求，因此双方决定一起开发类HBM技术，希望能加速AI应用技术的突破。
记忆体厂布局AI领域是一道不能回避的必考题。但是，如果直接去挑战HBM技术，等同是和美光、SK海力士、三星这几家DRAM大厂竞争云端资料中心市场，其技术门槛之高，需要投入资金之庞大，对于台湾记忆体厂而言，完全不实际，更何况三星这样的强势竞争者都可以屡屡受挫。
如何做出类似传统HBM，但可以不需要用到2.5D/3D封装技术，绕开台积电的CoWoS封装技术，是台湾记忆体厂商正在做的解决方案。更重要的是，台记忆体厂这样做法不需要最先进制程的技术，只需要用成熟的半导体技术就可以实现，差别在于容量密度和耗电，特别适合用在边缘AI领域。这种类HBM的做法，也比传统且真正的HBM记忆体便宜非常多，台厂也能利用高性价比的优势，来创造出一些客制化和特殊需求的市场，来开创蓝海。