在今年的MemoryS 2025上，CFM闪存市场总经理邰炜以《存储格局 价值重塑》为主题进行了演讲。存储正在成为支撑AI算力落地的关键底座，邰炜表示，2024年存储行业迅速走出阴霾，并据CFM闪存市场数据显示，创造了1670亿美元的历史新高，其中NAND Flash市场规模达696亿美元，DRAM市场规模达973亿美元。同时在容量上看到，2025年NAND Flash和DRAM bit容量需求较2024年分别增长12%和15%。
从应用上来看，服务器市场已经成为存储需求发展的核心驱动力，2024年服务器NAND的容量暴增了108%，而服务器DRAM和HBM更是增长了24%和311%，手机和PC市场相比2024年也将有所增长。
CFM闪存市场数据显示，2025年服务器整机台数将继续增长至1330万台，其中AI服务器占比将达到14%，进一步推高服务器的存储配置。
相比较热火朝天的服务器市场，手机市场就显得略平淡。近几年随着消费者换机周期的一再延长，智能手机销量已经趋于平稳。而AI手机的出现将成为智能手机市场新的动力。作为主力的生产力工具，AI在PC上的落地将更显快速，邰炜表示，“今年我们预计AI PC相比去年将有质的飞跃”。
汽车作为存储的下一个重要应用市场，在整车厂的推动下，智能驾驶的普及率有望得以飞速提升，存储系统已从辅助部件蜕变为智能汽车的核心战略资源，车用存储迎来新的发展阶段。
在供应端，从各大存储原厂的财报都可看出，存储原厂基于稳住价格跌幅、保证利润的策略重心，减少旧产能，聚焦先进制程产品的生产以及技术的迁移。整个资本支出将更多投入到更先进封装或研发上，更侧重于HBM、1c、1γ和200层、300层这些先进产能。而整体wafer产出相比以往的增量将减少很多。
在消费淡季的影响下，2025年一季度DRAM和NAND价格已经全面下跌。但是，现在也看到了AI催动了需求的增加，存储技术朝更先进制程上迁移以及原厂在产能资本支出上正在减少。需求回升、供应趋紧，存储行业整体大幅供过于求的现状正在发生改善，尤其在现货市场上已经有了止跌的明显信号，预计在Q2季度，尤其部分NAND产品价格将率先开始止稳，Q3将有机会迎来整体的回升。”
在MemoryS 2025峰会现场，三星电子软件开发团队执行副总裁吴文旭以《人工智能浪潮：重塑存储与内存的新需求格局》为主题发表了重磅演讲。随着生成式AI向多模态融合加速演进，从文本生成到图像/视频合成的算力跃迁正重塑存储产业的技术标尺，对存储设备的性能速度、容量需求和能效优化都提出了更高的要求。
吴文旭表示，其沉浸式静默冷却技术已突破DRAM热管理瓶颈，适配下一代闪存产品，同时探索量子计算与SPDM加密协议的融合，强化数据安全。公司在中国西安建立全自动生产基地，通过数字孪生优化半导体制造流程，并部署66KW双驱电源系统，支撑高密度AI负载。三星强调，将持续联合全球合作伙伴完善CXL生态，推动量子技术产业化落地，并深化与本地客户在定制化HBM、大容量SSD等领域的合作，为AI基础设施提供全栈存储解决方案。
当下，全面人工智能时代正带动着信息技术产业再次变革，并对存力提出了更高要求。在MemoryS 2025峰会中，长江存储市场负责人范增绪发表了题为《晶栈Xtacking全面拥抱AI+时代存力需求》的主题演讲，针对AI+时代长江存储解决方案进行了介绍。
长江存储晶栈Xtacking架构目前已升级至4.0，为NAND带来了更高的IO速度，更高的存储密度和更高的品质可靠性。基于此，长江存储推出了X4-9060(512Gb TLC)、X4-9070(1Tb TLC)和X4-6080(2Tb QLC)三款产品，其在嵌入式存储，消费级SSD，企业级SSD等领域得到了广泛应用，优化了手机、PC的开机速度、应用加载速度，提升多任务流畅度和续航表现，全面拥抱AI+时代应用需求。
在企业级领域，范增绪提到：“QLC SSD相比传统机械硬盘拥有更高的性能和更低延迟，可显著提高AI训练推理效率。此外，其更大的单盘容量可节约机架空间，显著提升数据中心运营效率。”范增绪表示：“长江存储愿携手合作伙伴，共同推动企业级QLC发展。”
近两年，随着云服务提供商的投资集中在AI服务器，对高容量、高密度和更节能的SSD产品需求激增。铠侠首席技术执行官柳茂知在《后AI时代下的SSD市场愿景与关键技术》主题演讲中介绍，“HDD无法满足AI时代存储需求，将为SSD带来新的发展愿景”。
铠侠去年推出了CBA架构及BiCS8产品，并于两周前推出了BiCS10。铠侠将更灵活的CBA架构称为双管齐下的迁移策略。
铠侠BiCS技术路线图将分为两个方向，其一是使用更高层数和高密度的先进存储单元，其二是采用折旧存储单元的部分，这两个方向均能实现更低的成本。其中，BiCS10属于第一个技术分支，通过更先进的存储阵列实现更高的密度和更高的性能，能够支持PCIe 6.0和PCIe 7.0；BiCS9属于第二个技术分支，其存储阵列采用折旧产线生产，搭配最新的CMOS制程，支持PCIe6。柳茂知介绍，“从平面结构到3D堆叠，通过优化耐久性，NAND flash DWPD（每日全盘写入次数）的降低实现了成本下降。”
展望SSD接口演变，柳茂知表示，“PCIe Gen6样品将出现在2025年，部署将于2026年；PCIe Gen7样品将于2028年出现，部署将于2029年。但是大规模升级至PCIe 6接口将在两年后发生，因此客户有足够的时间导入PCIe Gen 5产品。铠侠BiCS8 PCIe Gen5 SSD在性能以及能耗上均实现显著提升。”