三星3D NAND堆叠至400层以上，传出将使用长江存储Xtacking技术专利 - 新闻分类

传出三星电子在400层的第10代3D NAND（V10）将使用中国3D NAND厂商长江存储的Xtacking专利，尤其是「混合键合」封装技术中的W2W（Wafer-to-Wafer）。长江存储的Xtacking专利特性，是将记忆体晶片和逻辑晶片分别制造后，利用特殊的混合键合技术将两者黏合在一起。对于双方针对该专利授权协议的消息，我们求证三星电子，公司表示「无法确认。」

三星电子目前在记忆体领域的现状，不单是AI上使用的高频宽记忆体HBM落后SK海力士，在企业等级的SSD技术上，也处于追赶状态。因此，十分可以理解三星亟欲突破现状，朝着重拾记忆体龙头目标前进。

三星目前的NAND技术为第九代的286层3D NAND（V9），先前就传出三星为了追赶竞争对手，将跳过300层的3D NAND技术，直接朝400层的3D NAND技术前进，推出时间点约莫在2026年。

三星从V10开始就传出可能会采用键合技术。主要是因为目前的NAND是在晶圆上配置控制电路（Peripheral），再向上堆叠记忆体单元（cell），但随着cell堆叠层数增加后，会导底部的控制电路Peripheral承压过大而受损。因此，三星打算先堆叠cell，再接合peri，也就是把两个分开做，然后再用混合键合方式接合在一起。而这样的方式就是多年前长江存储推出的Xtacking技术，因此这次传出三星与长江存储就这方面的专利合作，业界其实不意外。

SK海力士先前也传出要在2025年开发400层以上的3D NAND技术，并且协同设备商、材料商共同研发，业界认为，当3D NAND堆叠到400层以上，都必须采用混合键合技术中的晶圆对晶圆（W2W）技术，将两片晶圆直接黏合，如此才能让高层数稳定，且不会损失太多良率。 SK海力士先前量产238层3D NAND，日前更宣布量产321层，再次提升SSD储存密度，非常适合用在资料中心等。