半导体

中国NAND Flash大厂长江存储旗下武汉新芯IPO启动

中国资本市场上半年状况不佳,为了避免市场信心崩盘,上海、深圳、北京三大交易所几乎是取消了所有IPO申请,直到进入下半年,各大交易所才再次重新受理企业IPO。

2024年下半,上交所受理的第一个IPO项目,是一家意义上具有重量等级的公司—武汉新芯,其背后代表的是中国NAND Flash大厂长江存储,同时武汉新芯也正在开发人工智能AI相关的记忆体HBM技术。
 

武汉新芯究竟是何方神圣? 它是一家三维整合、特色存储的晶圆代工厂,也有与台系记忆体厂NOR Flash旺宏、华邦相同的SPI NOR Flash产品线,而武汉新芯背后更重要的身份和意义,是中国NAND Flash大厂长江存储持股68%的子公司。
 

武汉新芯这次的IPO预计募资48亿人民币,这金额不算太高。不过,业界仍将武汉新芯的IPO计划,视为未来长江存储的「血库」之一,因为长江存储本身要上市有一定难度,但身上又背负NAND Flash芯片国产化的目标,需要扩大NAND Flash产能。
 

武汉新芯前身成立于2006年,最早是中芯国际与武汉政府合作成立,由武汉政府出资成立12吋半导体生产线,制程为65nm~40nm,委由中芯国际代管,于2008年9月正式投产,主要是生产中芯为美国NOR Flash大厂飞索Spansion代工的订单,以65nm制程技术生产。
 

2008年金融海啸期间,由于飞索Spansion订单剧减,武汉新芯陷入严重亏损,导致武汉政府想要出售股权。
 

当时,美光积极接洽欲入股武汉新芯,甚至传出台积电也参与武汉新芯股权的洽谈。只是到了最后,中方希望该半导体厂的主导权能维持在中方手上,发一场业界称为「武汉保卫战」之役,最后成功由中芯国际注资,并持续保有武汉新芯主导权。
 

中芯国际与武汉新芯的合作到2013年正式结束,由武汉政府接手。期间,新芯也曾和飞索合作3D NAND技术研发,以及与豪威OmniVision(被韦尔半导体收购)合作开发3D IC技术,奠定日后朝3D堆叠发展的根基。
 

长江存储是一家成立于2016年的NAND Flash半导体公司,虽然成立的时间晚于武汉新芯,但长江存储成立后,武汉新芯遂变成其旗下转投资公司,目前长存对武芯持股约68%。
 

2019年长江存储发表独家的Xtacking技术,将逻辑与记忆体晶片片做堆叠,以规避既有国际记忆体大厂的专利,该Xtacking技术就是源自于武汉新芯的3D IC技术根基来开发。
 

除此之外,武汉新芯有两个值得关注的背景。第一,其目前的法定代表人是杨士宁。他过去曾任新加坡特许半导体的CEO、中芯国际COO,同时也曾任长江存储CEO,之后因为其美籍身份,长江存储被美国商务部关注后,杨逐渐从长江存储退下,转去掌舵武汉新芯。
 

第二,武汉新芯传出建设12吋的HBM记忆体厂,开始购入HBM技术相关设备,初期月产能为3000片。
 

众所周知,HBM为技术门槛十分高,目前技术以SK海力士为首,三星和美光极力追赶,HBM记忆体更是AI的敲门砖,武汉新芯作为长江存储旗下的子公司,也极力参与HBM技术开发、设备采购,以及生产线打造,自然引人注目。






 


根据武汉新芯IPO招股书,是一家具特色工艺晶圆代工企业,聚焦于特色存储、数模混合和三维整合等业务领域,可提供基于多种技术节点、不同工艺平台的各类半导体产品晶圆代工。

 

2023年营收比重中,晶圆代工占67%、自有品牌占16%。以技术平台划分,特色存储占67.7%、数模混合占20.26%、三维整合占4.54%。招股书中指出,公司多项技术及产品已广泛应用于汽车电子、工业控制、消费性电子、电脑等下游领域。