半导体
中国DRAM厂长鑫存储传上万片报废晶圆，前台积电上海厂长遭撤换
在生成式AI需求爆炸性带动下，全球记忆体的光芒都集中在高频宽记忆体HBM身上，更成为SK海力士、美光、三星竞技战场，反而是传统DRAM和快闪记忆体NAND Flash，因为PC、手机、消费性电子、车用等需求疲软，一直乏人问津，今年以来的价格走势更是疲软。原本市场期待HBM在量产和拉升良率的过程中，因为大量消耗wafer，大幅排挤DDR5的产能，带动价格攀升，但实则效果有限，再加上DDR4和DDR3库存问题，实在很难看到DRAM市场何时才能走出谷底。
中国记忆体厂的大举扩增产能动作，一直被视为是未来DRAM和NAND Flash市场供需的一大变数。没想到，近日却传出长鑫存储的合肥厂出现晶圆报废事件。原本业界认为，随着美国出口管制一年年趋严，中国半导体持续加速设备和材料进入快速国产化阶段，在过程中出现良率损失或影响晶圆厂运行效率的状况，其实是不令人意外。因此，原本各界认为这次长鑫合肥厂的失误，可能与导入国产化的材料或设备有关。不过，根据供应链人士指出，这事件应该是人为失误，因此出现有高管被撤换。
据了解，长鑫存储的DRAM月产能约20万片，将逐步朝月产能30万片迈进，主要产品除了原有的DDR4和LPDDR4，也开始跨入DDR5、LPDDR5X，并且计划跨入HBM记忆体，传出已购入半导体设备将发展堆叠8层的HBM2。由于长鑫存储主要产品在利基型DRAM晶片上，随着产能不断扩大，首当其冲影响的会是台厂南亚科和华邦电。在需求疲弱、供给增加的双重压力下，DRAM价格也确实一直被压抑。
长鑫存储成立于2016年，与长江存储同年成立，当年度美光并购台系DRAM合资厂华亚科（南亚科和德商英飞凌合资），全球DRAM产业陷入一阵大整顿，于是出现华亚科的300~400名工程师被长鑫和长江存储挖角到中国工作，当时因为长鑫的合肥晶圆厂建设速度比较快，华亚科的工程师主要都被长鑫存储挖走，当时传出薪水是台湾薪资的三倍起跳。
几年后，长鑫存储的台湾籍员工已经离职一大部分，大多数都让本地员工取代。据悉，长鑫在台籍员工多数离职后，从台积电上海松江厂和南京厂挖角上百名工程师。这次报废事件遭到撤换的合肥厂长，当年就是从台积电上海松江厂跳槽去长鑫工作。
长鑫存储目前产能超过20万片，除了合肥厂，也有北京厂，今年以来更增加上海厂，据了解上海厂会从前段做到后段一条龙统包。同时，长鑫存储也将跨入AI领域的主战场HBM记忆体，从HBM2切入。
半导体业界对于中国切入自主HBM开发并不意外。因为，一直传言美国出口管制禁令的重点，会是在中国的HBM。这次台积电的7奈米制程先被美国商务部口头要求部分审查，应该是因为华为白手套事件的突发状况因此『插队』。不然，下一轮科技战的主战场会是在HBM。
业内人士透露，对于美国出口管制锁定HBM一事，最紧张的是三星，因为SK海力士的HBM主要都供应给Nvidia，美光也成功获得Nvidia认证，一直到明后年出货配合的数量都会放大。
相较起来，三星对于中国市场的依赖度最高，仍有一定比重的HBM是供应给中国数据中心的客户，如果接下来HBM输中被列入出口管制，对三星冲击最大。因此传出三星一直在游说美方放宽HBM出口管制的范围，例如只管制HBM3以上，但就规格的HBM2以下希望能放行。