2024年COMPUTEX创下史上空前盛况，加上Nvidia黄仁勋带动的“逛夜市”风潮，台湾成为全世界最闪亮的地方。 Nvidia于COMPUTEX期间举行的全球媒体记者会中，第一个被提出的问题居然是与AI息息相关的HBM记忆体，在盛况空前的COMPUTEX举行当下，国际记忆体大厂的HBM武力布局完全没有松懈的一刻！
美光Micron在COMPUTEX期间举行了一场新技术发布会，宣布推出GDDR7绘图记忆体，采用美光1-beta技术。不过，在场媒体最关心的话题，仍是HBM！ 连美光主管在当天主轴是GDDR7的联访记者会开到最后，都开玩笑表示：“还有任何关于HBM的问题吗？”
HBM技术非常复杂，要做十几、二十层的堆叠，技术门槛非常高。但是，如果没有HBM记忆体，GPU也无用武之地，AI商机也是海市蜃楼。
美光的HBM记忆体将在台湾和日本两地生产。事实上，美光有60%的DRAM产能放在台湾生产，1-Beta 制程已在台湾厂房进入量产，预计2025年会在台湾引入EUV机台来生产1γ（Gamma）制程DRAM晶片。在日本广岛厂方面，美光也会引入EUV机台，在2025年生产1γ(Gamma) DRAM。
美光2024年已经宣布24GB的HBM3E记忆体正式量产，采用1-Beta 制程技术，获得Nvidia的H200 GPU采用，预计2024年第二季开始出货，第三季放量。同时，美光也宣布推出12 层堆叠的36GB HBM3E样品。
美光看好到了2025年HBM3E的市占率将可望上升到20~25%，与美光在全球DRAM市占率相当。 HBM市占率的提升，背后象征两大意义，一是技术上站稳脚步，二是产能要能跟上脚步。另外，H200的采用也是一大助力。
美光在HBM上急起直追，以及强大的企图心，看在日前传出HBM产品不顺、出现过热且未通过Nvidia认证的三星的眼里，势必是著急不已。
接下来，来谈一天COMPUTEX当天美光的技术发布会的重点。
美光次世代GDDR7绘图记忆体已正式送样，采用美光1β (1-beta) DRAM技术和创新架构，最高速度达每秒32 Gb，系统频宽提升至1.5 TB/s以上，频宽相较前一代美光GDDR6高出60%。
相比前一代GDDR6，美光GDDR7的能源效率亦提升超过50%，有效改善散热问题并延长电池寿命。 GDDR7新的睡眠模式可降低系统待机功耗最高达70%。
美光GDDR7拥有四个独立通道，最佳化工作负载与更快的回应速度、更流畅的游戏体验并显著缩短处理时间。
美光预计，采用GDDR7制作的显示卡在1080p、1440p和4K解析度下的光线追踪和光栅化每秒帧数（FPS）相较于GDDR6和GDDR6X可提升超过30%。
GDDR7产品的推出，让完美光的产品布局CPU、NPU和GPU元件的边缘 AI 推理应用，提供 DDR、LPDDR 和 GDDR 记忆体选项。针对游戏应用，美光GDDR7记忆体透过效能和帧缓冲区扩展，以可随游戏内容变换的场景、玩家和故事情节实现 AI 增强的游戏体验。
美光副总裁暨运算产品事业群总经理Praveen Vaidyanathan表示，透过采用先进制程和介面技术打造出最高频宽的记忆体解决方案，再次引领记忆体产业创新，并维持在绘图记忆体效能的领导地位。
相关新闻：
台积电延续万亿市值的秘密，都藏在这一张图里
慧荣苟嘉章：AI带动服务器强大需求，NAND Flash价格下半年续涨
卢超群：HBM良率转顺至少还要2～3年，对DRAM排挤效应刚开始而已